Вышедшие номера
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs
Винокуров Д.А.1, Николаев Д.Н.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Шамахов В.В.1, Бондарев А.Д.1, Рудова Н.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs выращены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из сильно напряженной квантовой ямы GaInAs, помещенной между компенсирующими слоями GaAsP. Изготовлены мезаполосковые лазерные диоды с апертурой 100 мкм, излучающие на длине волны 1190 нм. Максимальная мощность излучения в непрерывном режиме генерации для лазерных диодов составила 4.5 Вт на зеркало. Использование компенсирующих барьеров GaAsP позволило получить нерелаксированную квантовую яму GaInAs, что проявилось в отсутствии разброса максимальной мощности излучения для лазерных диодов, полученных из одной лазерной гетероструктуры.