"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Обработка поверхности заготовок для изготовления CdZnTe-детекторов
Федоренко О.А.1, Дубина Н.Г.1, Христьян В.А.1, Терзин И.С.1
1Научно-технологический комплекс "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 19 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Методами измерения микротвердости и химического избирательного травления определена глубина нарушенного слоя, образующегося на поверхности кристаллов CdZnTe при их стандартной механической обработке. Определены скорости химического травления поверхности кристаллов CdZnTe в растворах брома в метаноле, различающихся концентрацией брома.
  1. Ю.М. Литвинов, С.Л. Одинцов, Ф.Р. Хашимов. В сб.: Электронная техника. Сер. Управление качеством и стандартизация (1975) вып. 11 (41)
  2. М.С. Кац, В.Р. Регель, Т.П. Сапфирова, А.И. Слуцкер. В сб.: Новое в области испытаний на микротвердость (М., Наука, 1974) с. 58
  3. M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi. J. Appl. Phys., 33, 2578 (1962)
  4. A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhoretz, A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland, C.F. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 248 (2001)
  5. A.A. Rouse, C. Szeles, J.-O. Ndap, S.A. Soldner, K.B. Parnham, D.J. Gaspar, M.H. Engelhard, S.V. Lea, C.V. Shutthanandan, T.S. Thevuthasan, D.R. Baer. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2005 (2002)
  6. W. Linjun, S. Wenbin, S. Weimin, Q. Yongbiao, M. Jiahua, L. Dondhua, X. Yiben. Nucl. Instrum. Meth. A, 448, 581 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.