"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Обработка поверхности заготовок для изготовления CdZnTe-детекторов
Федоренко О.А.1, Дубина Н.Г.1, Христьян В.А.1, Терзин И.С.1
1Научно-технологический комплекс "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 19 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Методами измерения микротвердости и химического избирательного травления определена глубина нарушенного слоя, образующегося на поверхности кристаллов CdZnTe при их стандартной механической обработке. Определены скорости химического травления поверхности кристаллов CdZnTe в растворах брома в метаноле, различающихся концентрацией брома.
  • Ю.М. Литвинов, С.Л. Одинцов, Ф.Р. Хашимов. В сб.: Электронная техника. Сер. Управление качеством и стандартизация (1975) вып. 11 (41)
  • М.С. Кац, В.Р. Регель, Т.П. Сапфирова, А.И. Слуцкер. В сб.: Новое в области испытаний на микротвердость (М., Наука, 1974) с. 58
  • M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi. J. Appl. Phys., 33, 2578 (1962)
  • A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhoretz, A.S. Abyzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland, C.F. Smith. Nucl. Instrum. Meth. A, 458, 248 (2001)
  • A.A. Rouse, C. Szeles, J.-O. Ndap, S.A. Soldner, K.B. Parnham, D.J. Gaspar, M.H. Engelhard, S.V. Lea, C.V. Shutthanandan, T.S. Thevuthasan, D.R. Baer. IEEE Trans. Nucl. Sci., 49, 2005 (2002)
  • W. Linjun, S. Wenbin, S. Weimin, Q. Yongbiao, M. Jiahua, L. Dondhua, X. Yiben. Nucl. Instrum. Meth. A, 448, 581 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.