"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs
Сошников И.П.1,2, Афанасьев Дм.Е.3, Петров В.А.1, Цырлин Г.Э.1,2,4, Буравлев А.Д.1,2, Самсоненко Ю.Б.1,2,4, Хребтов А.2, Танклевская Е.М.2, Селезнев И.А.5
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет), Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5ОАО Океанприбор, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d33~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.
  • S.C. Masmanidis, R.B. Karabalin, I. De Vlaminck, G. Borghs, M.R. Freeman, M.L. Roukes. Science, 317, 780 (2007)
  • J.G. Gualtieri, J.A. Kosinski, A. Ballato. IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, 41, 53 (1994)
  • H. Tong, B.L. Wang, Z.C. Ou-Yang. Thin Sol. Films, 516, 2708 (2008)
  • S.N. Cha, J.-S. Seo, S.M. Kim, H.J. Kim, Y.J. Park, S.-W. Kim, J.M. Kim. Adv. Mater., 22, 4726 (2010)
  • Z.L. Wang. Appl. Phys. A, 88, 7 (2007)
  • Z.L. Wang. J. Phys. Chem. Lett., 1, 1388 (2010)
  • M.B. Kanoun, S. Goumri-Said, A.E. Merad, G. Merad, J. Cibert, H. Aourag. Semicond. Sci. Technol., 19, 1220 (2004)
  • X. Wang, K. Kim, Y. Wang, M. Stadermann, A. Noy, A.V. Hamza, J. Yang, D.J. Sirbuly. Nano Lett., 10, 4901 (2010)
  • Y.M. Niquet. Phys. Rev. B, 74, 155 304 (2006)
  • Landolt-Bornstein. Group III Condensed Matter Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 41A1b: Group IV Elements. IV--VI and III--V Compounds. Part b --- Electronic, Transport, Optical and Other Properties, ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz [chapter: DOI 10.1007/10832182\_206]
  • G. Arlt, P. Quadflieg. Phys. Status Solidi B, 25, 323 (1968)
  • K. Huebner. Phys. Status Solidi B, 57, 627 (1973)
  • K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys., 74 (5), 3162 (1993)
  • B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett., 79 (20), 3335 (2001)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47 (12), 2121 (2005). [Phys. Solid State, 47 (12), 2213 (2005)]
  • Landolt-Bornstein. Group III Condensed Matter Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 41B: II--VI and I--VII Compounds; Semimagnetic Compounds, ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz [chapter: DOI 10.1007/10681719\_1; book: DOI 10.1007/b71137]
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov, N.V. Sibirev. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2005) [Semiconductors, 39 (5), 557 (2005)]
  • P.K.C. Pillai, P. Khurana, A. Triphati. J. Mater. Sci. Lett., 5 (6), 629 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.