Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 6 » Статья стр. 847
<<<>>>
Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния
Мынбаева М.Г.1, Абрамов П.Л.1, Лебедев А.А.1, Трегубова А.С.1, Литвин Д.П.2, Васильев А.В.2, Чемекова Т.Ю.2, Макаров Ю.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Группа компаний "Нитридные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
PDF версия
Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества.
  1. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  2. J. Heindl, H.P. Strunk, V.D. Heydemann, G. Pensl. Phys. Status. Solidi A, 162, 251 (1997)
  3. S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Cryst. Growth, 220, 308 (2000)
  4. M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 75, 784 (1999)
  5. H. Shiomi, H. Kinoshika, T. Furusho, T. Hayashi, M. Tajima, E. Higashi. J. Cryst. Growth, 292, 188 (2006)
  6. Z.G. Herro, B.M. Epelbaum, M. Bickermann, C. Seitz, A. Magerl, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 275, 496 (2005)
  7. J. Li, P. Filip, B.M. Epelbaum, X. Xu, M. Bickermann, A. Winnacker. J. Cryst. Growth, 308, 41 (2007)
  8. Y. Shishkin, O. Kordina. J. Cryst. Growth, 291, 317 (2006)
  9. H.-J. Rost, M. Schidbauer, D. Sicke, R. Formari. J. Cryst. Growth, 290, 137 (2006)
  10. D. Nakamura, I. Gunjishima, S. Yamaguchi, T. Ito, A. Okamoto, H. Kondo, S. Onda, K. Takato. Nature, 430, 1009 (2004)
  11. Д. Авров, С. Дорожкин, А. Лебедев, Ю. Таиров, А. Трегубова, А. Фадеев. ФТП, 43, 1288 (2009)
  12. S. Rendakova, V. Dmitriev. Abstracts of MRS 1999 Spring Meeting, San Francisco, April 5-9, 1999, p. 308
  13. Д.А. Бауман, А.В. Гаврилин, В.А. Иванцов, А.М. Морозов, Н.И. Кузнецов. ФТП, 35, 1184 (2001)
  14. S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
  15. H. Jacobson, R. Yakimova, M. Syvajarvi, A. Kakanakova-Georgieva, T. Tuomi, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 256, 276 (2003)
  16. N.S. Savkina, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, C. Raynauld, J.P. Chante, M.L. Locatelli, D. Planson, J. Millan, P. Godignon, F.J. Campos, N. Nestres, J. Pascual, M. Badila, G. Brereanu. Mat. Science \& Eng. B, 77, 50 (2000)
  17. M. Syvajarvi, R. Yakimova, E. Janzen. J. Phys. Condens. Matter., 11, 10019 (1999)
  18. J.H. van der Marwe. J. Electron. Mater., 20, 793 (1991)
  19. H. Jacobson, J. Birch, C. Hallin, A. Henry, R. Yakimova, T. Tuomi, E. Janzen, U. Lindefelt. Appl. Phys. Lett., 82, 3689 (2003)
  20. X. Zhang, M. Skowronski, K.X. Liu, R.E. Stahlbush, J.J. Sumakeris, M.J. Paisley, M.J. O'Loughlin. J. Appl. Phys., 102, 093520 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme