Исследовались особенности образования радиационных дефектов в тонком слое кремния структур "кремний на изоляторе" (КНИ). Показаны различия в изменениях структурных и электрических свойств тонкого слоя кремния и аналогичных по электрофизическим характеристикам массивных кристаллов кремния, подвергнутых одинаковым радиационным воздействиям. Установлено, что встроенный диэлектрик структуры "кремний на изоляторе" является барьером на пути движения радиационно-индуцированных собственных межузельных атомов кремния, что приводит к увеличению дозы бомбардирующих ионов, вызывающей потерю монокристалличности слоя кремния КНИ-структуры. Показано, что гамма-облучение дозами, не влияющими на электропроводность массивных кристаллов кремния, существенно изменяет таковую в слое кремния КНИ-структур. При этом изменение электропроводности слоя кремния связано с изменением плотности поверхностных состояний на границе раздела слой кремния-встроенный диэлектрик, а не с генерацией "классических" радиационно-индуцированных дефектов структуры кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.