Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Диффузия бора в карбид кремния из газовой фазы описана на основе двухкомпонентной модели. Медленным компонентом с высокой поверхностной концентрацией является "мелкий" бор - бор в узлах кремния, коэффициент диффузии которого пропорционален концентрации положительно заряженных собственных точечных дефектов, предположительно межузельных атомов кремния. Быстрым компонентом с более низкой поверхностной концентрацией является "глубокий" бор - примесно-дефектные пары бор-углеродная вакансия. Соотношение между поверхностными концентрациями компонентов зависит от давления пара кремния или углерода в газовой фазе. Диффузия и взаимодействие компонентов описаны системой диффузионно-реакционных уравнений. Замедление диффузии, наблюдающееся на хвосте концентрационного профиля, связывается с захватом примесно-дефектных пар и избыточных вакансий на ловушки фоновых примесей и дефектов.
- Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.Н. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. ФТП, 11, 373 (1977)
- А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю.И. Козлов, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6 (21), 1319 (1980)
- T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H.P. Strunk, M. Maier. Phys. Status Solidi A, 162, 277 (1997)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1990)
- S.H. Hagen, A.W.C. Kemenade. Phys. Status Solidi A, 33, 97 (1976)
- Ю.А. Водаков, Г.Г. Гончаров, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, М.Г. Рамм, Г.Г. Рябова. ФТП, 21 (2), 207 (1987)
- Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Неорг. матер., 20 (7), 1086 (1983)
- П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, ФТТ, 38, 1446 (1996)
- A. Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 57, 1607 (1998)
- Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, М.Б. Рейфман. ФТТ, 8, 1298 (1966)
- Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов, В.В. Семенов. ФТП, 6, 482 (1972)
- Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, Н.А. Прохоров, А.С. Трегубова. ФТТ, 18, 2101 (1976)
- Е.Н. Мохов, Б.П. Зверев, М.Г. Рамм, М.М. Усманова. Неорг. матер., 16 (12), 2153 (1980)
- Е.Н. Мохов, Е.Е. Гончаров, Г.Г. Рябова. ФТП, 18, 49 (1984)
- Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, М.М. Усманова, Б.П. Зверев, Н. Жумаев. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1979) с. 316
- Е.Н. Мохов, Е.Е. Гончаров, Г.Г. Рябова. ФТТ, 30, 248 (1988)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТП, 14, 377 (1980)
- Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 197 (1993)
- Y. Gao, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. Appl. Phys. Lett., 83, 905 (2003)
- А.О. Константинов. ФТП, 22, 164 (1988)
- А.О. Константинов. ФТП, 26, 270 (1992)
- H. Bracht, N.A. Stolwijk, M. Laube, G. Pensl. Appl. Phys. Lett., 77, 3188 (2000)
- M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 70, 15 203 (2004)
- Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
- C. Wang, J. Bernholc, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 38, 12 752 (1988)
- W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Orlando, Academic Press, 1984) p. 63
- О.В. Александров, А.А. Криворучко. ФТП, 41 (9), 1067 (2007)
- О.В. Александров. ФТП, 35 (11), 1289 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
