Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

A New InGaP/GaAs Tunneling Heterostructure--Emitter Bipolar Transistor (T-HEBT)

Tsai Jung-Hui¹, Lee Ching-Sung², Lour Wen-Shiung³, Ma Yung-Chun¹, Ye Sheng-Shiun¹

¹Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 802 Kaohsiung, Taiwan
²Department of Electronic Engineering, Feng Chia University, 100 Taichung, Taiwan
³Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan

Поступила в редакцию: 25 октября 2010 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Excellent characteristics of an InGaP/GaAs tunneling heterostructure-emitter bipolar transistor (T-HEBT) are first demonstrated. The insertion of a thin n-GaAs emitter layer between tynneling confinement and base layers effectivelty eliminates the potential spike at base-emitter junction and reduces the collector-emitter offset voltage, while the thin InGaP tunneling confinement layer is employed to reduce the transporting time across emitter region for electrons and maintain the good confinement effect for holes. Experimentally, the studied T-HEBN exhibits a maximum current gain of 285, a relatively low offset voltage of 40 mW, and a current-gain cutoff frequency of 26.4 GHz.

K. Runge, R.L. Pierson, P.J. Zampardi, P.B. Thomas, J. Yu, K.C. Wang. Electron. Lett., 33, 765 (1997)
Y.S. Noh, C.S. Park. Electron. Lett., 37, 1523 (2001)
J.H. Tsai. Jpn. J. Appl. Phys., 40, 5865 (2001)
Y.S. Lin, J.J. Jiang. IEEE Trans. Electron. Dev., 56, 2945 (2009)
J.J. Liou, C.S. Ho, L.L. Liou, C.I. Huang. Sol. St. Electron., 36, 819 (1993)
H.R. Chen, C.Y. Chang, C.P. Lee, C.H. Huang, J.S. Tsang, K.L. Tsai. IEEE Electron. Dev. Lett., 15, 336 (1994)
J.H. Tsai, S.Y. Cheng, W.S. Lour, W.C. Liu, H.H. Lin. Semicond. Sci. Technol., 12, 1135 (1997)
S.I. Fu, S.Y. Cheng, P.H. Lai, Y.Y. Tsai, C.W. Hugn, W.C. Liu. Jpn. J. Appl. Phys., 46, L74 (2007)
A.F.J. Levi, R.N. Nottenburg, Y.K. Chen, J.E. Cunningham. Appl. Phys. Lett., 54, 2250 (1989)
S.S. Lu, C.C. Wu. IEEE Electron. Dev. Lett., 13, 458 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель