Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
Лебедев М.В.1, Шерстнев В.В.1, Куницына Е.В.1, Андреев И.А.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 30 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Исследуется влияние обработки раствором сульфида натрия (Na2S) в изопропиловом спирте на характеристики фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb и InAs/InAsSbP, измеряемые при комнатной температуре. В результате обработки спиртовым сульфидным раствором плотность темнового тока фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb при обратном смещении 0.1 В уменьшилась более чем в 25 раз, а фотодиодов InAs/InAsSbP - в 1.7 раза. При этом произведение сопротивления при нулевом смещении и площади устройства (R0A) увеличивалось для фотодиодов GaInAsSb/GaAlAsSb от 1.0 до 25.6 Ом·см2, а для фотодиодов InAs/InAsSbP от 4.4·10-2 до 7.3·10-2 Ом·см2. Данный метод пассивации обеспечивает долговременную стабильность характеристик фотодиодов.
- M.H.M. Reddy, J.T. Olesberg, C. Cao, J.P. Prineas. Semicond. Sci. Technol., 21, 267 (2006).
- Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S.S. Kizhayev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D (2007)
- I. Shafir, M. Katz, A. Sher, A. Raizman, A. Zussman, M. Nathan. Semicond. Sci. Technol., 24, 045 004 (2010)
- И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 653 (1997)
- X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, K. Oshimo, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell. Appl. Surf. Sci., 113--114, 388 (1997)
- X.Y. Gong, T. Yamaguchi, H. Kan, T. Makino, T. Iida, T. Kato, M. Aoyama, Y. Suzuki, N. Sanada, Y. Fukuda, M. Kumagawa. Jpn. J. Appl. Phys., 37, 55 (1998)
- A. Gin, Y. Wei, A. Hood, A. Bajowala, V. Yazdanpanah, M. Razeghi, M. Tidrow. Appl. Phys. Lett., 84, 2037 (2004)
- E. Plis, J.-B. Rodriguez, S.J. Lee S. Krishna. Electron. Lett., 42, 1248 (2006)
- P.Y. Delaunay, A. Hood, B.M. Nguyen, D. Hoffman, Y. Wei, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 91, 091 112 (2007)
- J. Hoffmann, T. Lehnert, D. Hoffmann, H. Fouckhardt. Semicond. Sci. Technol., 24, 065 008 (2008)
- A. Salesse, A. Joullie, P. Calas, J. Neito, F. Chevrier, Y. Cuminal, G. Ferblantier, P. Christol. Phys. Status Solidi C, 4, 1508 (2007)
- Z.Y. Liu, T.F. Kuech, D.A. Saulys. Appl. Phys. Lett., 83, 2587 (2003)
- V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 2761 (1996)
- V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998)
- V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Engin. B, 44, 380 (1997)
- R. Hakimi, M.C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
- K. Amarnath, R. Grover, S. Kanakaraju, P.-T. Ho. IEEE Phot. Technol. Lett., 17, 2280 (2005)
- R.W. Lambert, T. Ayling, A.F. Hendry, J.M. Carson, D.A. Barrow, S. McHendry, C.J. Scott, A. McKee, W. Meredith. J. Lightwave Technol., 24, 956 (2006)
- C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, I.-H. Lee, S.-J. Park. J. Appl. Phys., 87, 4591 (2000)
- G.L. Martinez, M.R. Curiel, B.J. Skromme, R.J. Molnar. J. Electron. Mater., 29, 325 (2000)
- C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- M.V. Lebedev. J. Phys. Chem. B, 105, 5427 (2001)
- M.V. Lebedev. Chem. Phys. Lett., 419, 96 (2006)
- M.V. Lebedev. Appl. Surf. Sci., 254, 8016 (2008).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
