Выполнены исследования зависимости структурных параметров эпитаксиальных пленок GaN на сапфире (n-GaN/Al₂O₃(0001)) после облучения реакторными нейтронами интегральными потоками до 7.25·10¹⁹ бн/см² (varphi_бн/varphi_тн~1) и последующего изохронного отжига до 1000^oC. Измерения параметров решетки a и c облученных пленок n-GaN выявили увеличение постоянной решетки c на 0.38% при практически неизменной величине параметра a. Из теоретических оценок следует, что в облученной пленке n-GaN величина упругого напряжения растяжения вдоль оси c доходит до ~1.5 ГПа; тогда как напряжение сжатия в базальной плоскости элементарной ячейки составляет около -0.5 ГПа. Растяжение облученной пленки GaN вдоль гексагональной оси приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны E_g и понижению уровня зарядовой нейтральности на 37 и 22 мэВ соответственно по отношению к их значениям в исходной пленке GaN на сапфире. Восстановление вызванного облучением реакторными нейтронами изменения параметра Delta c имеет место в температурном интервале 100-1000^oC с основной стадией отжига вблизи 400^oC.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.