"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии
Васин А.В.1, Охолин П.Н.1, Веровский И.Н.1, Назаров А.Н.1, Лысенко В.С.1, Холостов К.И.2, Бондаренко В.П.2, Ishikawa Y.3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3Japan Fine Ceramics Center, 45 Nagoya, Japan
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом·см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550oC на поверхности пор образуются кремний--углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния.
  • J. Yoshinobu, H. Tsuda, M. Onchi, M. Nishijima. Chem. Phys. Lett., 130, 170 (1986)
  • M. Nishijima, J. Yoshinobu, H. Tsuda, M: Onchi. Surf. Sci., 192, 383 (1987)
  • G. Dufour, f. Rochet, F.C. Stedile, C. Poncey, M. de Crescenzi, R. Gunbells, M. Froment. Phys. Rev., B, 56, 4266 (1997)
  • J. Salonen, E. Laine, L. Niinisto. J. Appl. Phys., 91, 456 (2002)
  • J. Salonen, M. Bjorkqvist, E. Laine, L. Niinisto. Appl. Surf. Sci., 225, 389 (2004)
  • A.V. Vasin, Yu. Ishikawa, M. Shibata, J. Salonen, V.-P. Lehto. J. J. Appl. Phys., 46, L465 (2007)
  • Yu. Ishikawa, A.V. Vasin, J. Salonen, S. Muto, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, N. Shibata, V.-P. Lehto. J. Appl. Phys., 104, 083 522 (2008)
  • H. Tsay, D.B. Bogy. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3287 (1987)
  • D.S. Knight, W.B. White. J. Matter. Res., 4, 385 (1989)
  • A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 61, 14 095 (2000)
  • F. Matsui, H.V. Yeom, I. Matsuda, T. Ohta. Phys. Rev. B, 62, 5036 (2000)
  • А.Н. Образцов, Х. Окуши, Х. Ватанабе, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 31, 629 (1998)
  • I. Mizushima, E. Kamiya, N. Arai, M. Sonoda, M. Yoshiki, Sh. Takagi, M. Wakamiya, Sh. Kambayashi, Yu. Mikata, S. Mori, M. Kashivagi. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1465 (1997)
  • C.T. Kirk. Phys. B: Condens. Matter., 38, 1255 (1988)
  • C. Tsai, K.-H. Li, J. Sarathy, S. Shih, J.C. Campbell. Appl. Phys. Lett., 59, 2814 (1991)
  • N. Ookubo, H. Ono, Y. Ochiai, Y. Mochizuki, S. Matsui. Appl. Phys. Lett., 61, 940 (1992)
  • A.C. Adams, F.B. Alexander, C.D. Capio, T.E. Smith. J. Electrochem. Soc., 128, 1545 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.