"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы прохождения тока в контактах Au-CdTe с модифицированной поверхностью
Махний В.П.1, Скрипник Н.В.1
1Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 18 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Исследованы обратные вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на основе n-CdTe с модифицированной поверхностью, полученной обработкой в водном растворе солей щелочных металлов. Установлено, что обратный ток при низких смещениях имеет туннельную природу, а при больших обусловлен лавинным умножением носителей в результате ударной ионизации.
  1. K.L. Giboni. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 416, 319 (1998)
  2. V.P. Makhniy, N.V. Skrypnyk, Yu.N. Boyko. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 12, 143 (2009)
  3. V.P. Makhniy, Yu.N. Bojko, N.V. Skrypnyk. ФТП, 43, 630 (2009)
  4. В.П. Махний. Автореф. докт. дис. (Черновцы, Черновиц. ГУ им. Ю. Федьковича, 1992)
  5. Д.В. Корбутяк, С.В. Мельничук, Е.В. Корбут, М.М. Борисюк. Теллурид кадмия: примесно-дефектные состояния и детекторные свойства (Киев, Иван Федоров, 2000)
  6. В.П. Махнiй, М.В. Скрипник. Патент Украины N 31891 (2008)
  7. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  8. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973)
  9. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1975)
  10. И.С. Кабанова, Л.А. Косяченко, В.П. Махний. ФТП, 22 (10), 1852 (1989)
  11. И.К. Верещагин. Электролюминесцения кристаллов (М., Наука, 1974)
  12. Н.В. Демич, В.П. Махний. Письма ЖТФ, 27, 57 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.