"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле
Дадамирзаев М.Г.1,2
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 20 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Эдс горячих носителей заряда Uoc, генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход.
  1. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицский, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 216 (1975)
  2. С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. Узб. физ. журн., 2, 48 (2009)
  3. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
  4. С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. ФТП, 43, 53 (2009)
  5. П.И. Бранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.