Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.
Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001)С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>1100 для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см-2 и практически не изменяется при увеличении размера слитков.
- C.H. Carter, jr., R. Glass, M. Brady, D. Malta, D. Henshall, S. Muller, V. Tsvetkov, D. Hobgood, A. Powell. Mater. Sci. Forum, 353--356, 3 (2001)
- X. Ma. J. Appl. Phys., 99, 063 513 (2006)
- Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.Ю. Фадеев. Сб. докл. Всеросс. конф. Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" (Махачкала, 2009) с. 29
- C. Basceri, Yu. Khlebnikov, I. Khlebnikov, C. Balkas, N. Silan Murat, H.M. Hobgood, C.H. Carter, V. Balakrishna, R.T. Leonard, A.R. Powell, V. Tsvetkov, J.R. Jenny. Patent W02008033994 (2008)
- R.C. Glass, L.O. Kjellberg, V.F. Tsvetkov, J.E. Sundgren, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 132, 504 (1993)
- S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Cryst. Growth, 220, 308 (2000)
- M. Katsuno, N. Ohtani, T. Aigo, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, M. Kanaya. J. Cryst. Growth, 216, 256 (2000)
- M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 75, 784 (1999)
- Ж. Фридель. Дислокации (М., Мир, 1967)
- P. Pirouz. Phys. Mag. A, 78, 727 (1998)
- S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Electron. Mater., 29, L5 (2000)
- Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.С. Трегубова, А.Ю. Фадеев. ФТП, 43 (9), 1288 (2009)
- Д.Д. Авров, А.И. Булатов, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров. ФТП, 42 (12), 1483 (2008)
- N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectron. Engin., 83, 142 (2006)
- M. Syvajarvi, R. Yakimova, A.-L. Hylen, E. Janzen. J. Phys.: Condens. Metter, 11, 10 041 (1999)
- D. Nakamura, S. Yamaguchi, I. Gunjishima, Y. Hirose, T. Kimoto. J. Cryst. Growth, 304, 57 (2007)
- Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983)
- A. Powell, J. Jenny, S. Muller, H. McD. Hobgood, V. Tsvetkov, R. Lenoard, C. Carter, jr. J. High Speed Electron. Syst., 16 (3), 751 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
