"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H
Авров Д.Д.1, Булатов А.В.1, Дорожкин С.И.1, Лебедев А.О.2, Таиров Ю.М.1, Фадеев А.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2011 г.

Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001)С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>1100 для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см-2 и практически не изменяется при увеличении размера слитков.
  • C.H. Carter, jr., R. Glass, M. Brady, D. Malta, D. Henshall, S. Muller, V. Tsvetkov, D. Hobgood, A. Powell. Mater. Sci. Forum, 353--356, 3 (2001)
  • X. Ma. J. Appl. Phys., 99, 063 513 (2006)
  • Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.Ю. Фадеев. Сб. докл. Всеросс. конф. Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" (Махачкала, 2009) с. 29
  • C. Basceri, Yu. Khlebnikov, I. Khlebnikov, C. Balkas, N. Silan Murat, H.M. Hobgood, C.H. Carter, V. Balakrishna, R.T. Leonard, A.R. Powell, V. Tsvetkov, J.R. Jenny. Patent W02008033994 (2008)
  • R.C. Glass, L.O. Kjellberg, V.F. Tsvetkov, J.E. Sundgren, E. Janzen. J. Cryst. Growth, 132, 504 (1993)
  • S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Cryst. Growth, 220, 308 (2000)
  • M. Katsuno, N. Ohtani, T. Aigo, T. Fujimoto, H. Tsuge, H. Yashiro, M. Kanaya. J. Cryst. Growth, 216, 256 (2000)
  • M. Dudley, X.R. Huang, W. Huang, A. Powell, S. Wang, P. Neudeck, M. Skowronski. Appl. Phys. Lett., 75, 784 (1999)
  • Ж. Фридель. Дислокации (М., Мир, 1967)
  • P. Pirouz. Phys. Mag. A, 78, 727 (1998)
  • S. Ha, N.T. Nuhfer, G.S. Rohrer, M. De Graef, M. Skowronski. J. Electron. Mater., 29, L5 (2000)
  • Д.Д. Авров, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров, А.С. Трегубова, А.Ю. Фадеев. ФТП, 43 (9), 1288 (2009)
  • Д.Д. Авров, А.И. Булатов, С.И. Дорожкин, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров. ФТП, 42 (12), 1483 (2008)
  • N. Ohtani, M. Katsuno, H. Tsuge, T. Fujimoto, M. Nakabayashi, H. Yashiro, M. Sawamura, T. Aigo, T. Hoshino. Microelectron. Engin., 83, 142 (2006)
  • M. Syvajarvi, R. Yakimova, A.-L. Hylen, E. Janzen. J. Phys.: Condens. Metter, 11, 10 041 (1999)
  • D. Nakamura, S. Yamaguchi, I. Gunjishima, Y. Hirose, T. Kimoto. J. Cryst. Growth, 304, 57 (2007)
  • Ю.А. Тхорик, Л.С. Хазан. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах (Киев, Наук. думка, 1983)
  • A. Powell, J. Jenny, S. Muller, H. McD. Hobgood, V. Tsvetkov, R. Lenoard, C. Carter, jr. J. High Speed Electron. Syst., 16 (3), 751 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.