Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние водорода на локальную фазовую сепарацию в тонких слоях InGaN и свойства светодиодных структур на их основе
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Laboratorium fur Electronenmikroskopie, Universitat (TH) Karlsruhe, Karlsruhe, Deutschland
2Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Laboratorium fur Electronenmikroskopie, Universitat (TH) Karlsruhe, Karlsruhe, Deutschland
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Представлены результаты исследований влияния добавки водорода при росте тонких слоев (~2-3 нм) InGaN на их структурные свойства и свойства светодиодных структур, содержащих в активной области гетероструктуры InGaN/GaN. Показано, что, помимо известного эффекта уменьшения среднего состава по In, добавка водорода приводит к изменению локальной фазовой сепарации в слоях InGaN. Добавка водорода при росте InGaN изначально вызывает подавление локальной фазовой сепарации, а добавка водорода при прерываниях роста после осаждения InGaN приводит к уменьшению размеров сформированных локальных In-обогащенных областей и к некоторому увеличению в них локального содержания атомов In.
- S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett., 76 (12), 8189 (1994)
- W.V. Lundin, A.V. Sakharov, V.A. Semenov, A.S. Usikov, M.V. Baidakova, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 14-18, 1999) p. 485
- A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, D.A. Bedarev, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, A. Hoffman, D. Bimberg. Proc. IWN2000 (Nagoya, Sept. 24-27, 2000)
- Yong-Tae Moon, Dong-Joon Kim, Keun-Man Song, Chel-Jong Choi, Sang-Heon Han, Tae-Yeon Seong, Seong-Ju Park. J. Appl. Phys., 89 (11), 6514 (2001)
- W. Liu, S.J. Chua, X.H. Zhang, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 83, 914 (2003)
- Ta-Chuan Kuo, Wei-Jen Chen, Chih-Chun Ke, Cheng-Wei Hung, Hui-Tang Shen, Jen-Cheng Wang, Ya-Fen Wu, Tzer-En Nee. Proc. SPIE 6473, 6473D (2007)
- D. Gerthsen, E. Hahn, B. Neubauer, A. Rosenauer, O. Schon, M. Heuken, A. Rizzi. Phys. Status Solidi, 177, 145 (2000)
- Seung-Kyu Choi, Jae-Min Jang, Sung-Hak Yi, Jung-A Kim, Woo-Gwang Jung. Proc. SPIE, 6479, 64791F (2007)
- J. Bai, Q. Wang, T. Wang, A.G. Cullis, P.J. Parbrook. J. Appl. Phys. Lett., 105, 053 505 (2009)
- Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen, D.A. Bedarev, N.A. Bert, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 8 (12), 2099 (2002)
- Н.В. Крыжановская, В.В. Лундин, А.Е. Николаев, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, М.М. Павлов, Н.А. Черкашин, M.J. Hytch, Г.А. Вальковский, М.А. Яговкина, С.О. Усов. ФТП, 44 (6), 857 (2010)
- S.Yu. Karpov, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, A.I. Zhmakin. Phys. Rev. B, 70, 235 203 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
