Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическая генерация свободных носителей заряда в тонких пленках оксида олова
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 1 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
Методами инфракрасной спектроскопии поглощения и комбинационного рассеяния света исследованы нанокристаллические пленки SnOx (1=<q x=<q 2), полученные термическим окислением слоев металлического олова. В инфракрасном диапазоне обнаружено монотонное уменьшение пропускания пленок после воздействия на них при комнатной температуре светом с длиной волны 380 нм. Эффект был максимальным для образцов с x~2 и наблюдался в течение ~10 мин после прекращения освещения. Указанные изменения оптических свойств, аналогичные наблюдаемым при нагреве образцов, объясняются увеличением концентрации свободных носителей заряда (электронов) в нанокристаллах диоксида олова. Из данных инфракрасной спектроскопии по модели Друде рассчитаны концентрации фотогенерируемых носителей заряда, они составили ~1019 см-3, а также найдены их изменения в процессе освещения и после его прекращения. Обсуждаются механизмы наблюдаемой фотогенерации носителей заряда в пленках SnOx, а также возможные применения данного эффекта в газовых сенсорах.
- Nam-Gyu Park, Man Gu Kang, Kwang Sun Ryu, Kwang Man Kim, Soon Ho Chang. Thin Sol. Films, 295, 271 (1997)
- H. Kim, G.P. Kushto, R.C.Y. Auyeung, A. Pique. Appl. Phys. A, 93, 521 (2008)
- R.E. Presley, C.L. Munsee, C.-H. Park, D. Hong, J.F. Wager, D.A. Keszler. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 2810 (2004)
- Н. Игнатьева. Элекроника: наука, технология, бизнес, 2, 34 (2005)
- A. Chowdhuri, V. Gupta, K. Sreenivas, R. Kumar, S. Mozumdar, P.K. Patanjali. Appl. Phys. Lett., 84 (7), 1180 (2004).
- S. Ray, P.S. Gupta, G. Singh. J. Avionic Res., 6 (11), 23 (2010)
- M.-M. Bagheri-Mohagheghi, M. Shokooh-Saremi. Semicond. Sci. Technol., 19, 764 (2004)
- J.D. Prades, R. Jimenez-Diaz, F. Hernandez-Ramirez, S. Barth, A. Cirera, A. Romano-Rodriguez, S. Mathur, J.R. Morante. Sensors Actuators B, 140, 337 (2009)
- Tsung-Yeh Yang, Hong-Ming Lin, Bee-Yu Wei, Chuan-Yi Wu, Chung-Kwei Lin. Rev. Adv. Mater. Sci. 4, 48 (2003)
- B.P.J. de Lacy Costello, R.J. Ewen, N.M. Ratcliffe, M. Richards. Sensors Actuators B, 134, 945 (2008)
- Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 28 (5), 603 (2004)
- M.I. Baraton. In: Sensors for environment, health and security (2008), p. 31
- E.L. Peltzer y Blanka, A. Svane, N.E. Christensen, C.O. Rodriguez, O.M. Cappannini, M.S. Moreno. Phys. Rev. B, 48 (31), 15 712 (1993)
- McGuire, K. Pan, Z.W. Wang, Z.L. Milkie, D. Menendez, J. Rao, A.M.J. Nanosci. Nanotechnology, 2, 499 (2002)
- L. Sangaletti, L.E. Depero, B. Allieri, F. Pioselli, E. Comini, G. Sberveglieri, M. Zocchi. J. Mater. Res., 13 (9), 2451 (1998)
- M. Batzill, U. Diebold. Progr. Surf. Sci., 79, 47 (2005)
- К.П. Богданов, Д.Ц. Димитров, О.Ф. Луцкая, Ю.М. Таиров. ФТП, 32 (10), 1158 (1998)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- A.N. Bondarchuk, A.B. Glot, S.V. Mazurik, M. Marquez Miranda, G. Jimenez-Santana. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 48, 30 302 (2009)
- Trends in Semiconductors Research, ed. by T. Elliot (Nova Science Publisher Inc, 2005)
- N. Takubo, Yu. Muraoka, Z. Hiroi. Appl. Phys. Express, 2, 045 501 (2009)
- В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих. ФТП, 32 (5), 613 (1998).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
