"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические характеристики тонкопленочных структур, созданных импульсным лазерным осаждением металлов Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC
Романов Р.И.1, Зуев В.В.1, Фоминский В.Ю.1, Демин М.В.1, Григорьев В.В.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2010 г.

Импульсным лазерным осаждением металлических пленок Au, Ag, Cu, Pd, Pt, W, Zr на кристалл n-6H-SiC без предварительного приготовления эпитаксиального слоя созданы структуры, обладающие диодными характеристиками с коэффициентом идеальности, лежащим в интервале 1.28-2.14, и высотой потенциальных барьеров от 0.58 до 0.62 эВ со стороны полупроводника. При осаждении лазерно-инициированного потока атомов на границе металл-полупроводник формировалась большая концентрация поверхностных акцепторных и донорных состояний, что нарушало корреляцию между высотой потенциальных барьеров и работой выхода металлов. Значения высоты барьеров, определенные из значений характерных токов и емкостных измерений, достаточно хорошо совпадали. Определены размеры областей обеднения основными носителями (электронами), которые для используемого низкоомного полупроводника и использованных элементов контактов составили 26-60 нм.
  • А.Д. Кирюхин, В.В. Григорьев, А.В. Зуев, В.В. Зуев. ФТП, 42 (3), 271 (2008)
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, И.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонов. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
  • R. Weiss, L. Frey, H. Ryssel. Appl. Surf. Sci., 184, 413 (2001)
  • M. Soshacki, A. Kolendo, J. Szmidt, A. Werlowy. Sol. St. Electron., 49, 585 (2005)
  • C.I. Muntele, D. Lla, E.K. Williams, D.B. Poker, D.K. Hensley, D.J. Larkin, L. Muntele. Mater. Sci. Forum, 338--342, 1443 (2000)
  • В.Ю. Фоминский, Р.И. Романов, А.Г. Гнедовец, В.В. Зуев, М.В. Демин. ФТП, 44, 556 (2010)
  • Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков. ФТП, 35 (4), 406 (2001)
  • Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) с. 104
  • А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • J.R. Waldrop, R.W. Grant, Y.C. Wong, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 72 (10), 4757 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.