Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2010, выпуск 8 » Статья стр. 1140
<<<>>>
Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах InxGa1-xAs
Середин П.В.1, Глотов А.В.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Станкевич А.Л., Тарасов И.С.2
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 2009 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2010 г.
PDF версия
Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1-xAs/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x=0.5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора InxGa1-xAs, представляет собой соединение InGaAs2 со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.
  1. P.M. Petroff, G. Medeiros-Ribera. MRS Bulletin, 21, 50 (1996)
  2. J.F. Chen, C.H. Chiang, P.C. Hsieh, J.S. Wang. J. Appl. Phys., 101, 033 702 (2007)
  3. J.M. Ballingall, P.A. Martin, J. Mazurowski, P. Ho, P.C. Chao, P.M. Smith, K.H.G. Duh. Thin Sol. Films, 231, 95 (1993)
  4. S. Heun, J.J. Paggel, L. Sorba, S. Rubini, A. Bonanni, R. Lantier, M. Lazzarino, B. Bonanni, A. Franciosi, J.-M. Bonard, J.-D. Ganie`re, Y. Zhuang, G. Bauer. J. Appl. Phys., 83, 2504 (1998)
  5. P. Chavarkar, S. Mathis, L. Zhao, S. Keller, J. Speck, U. Mishra. J. Electron. Mater., 29, 7 (2000)
  6. S. Adachi. Physical properties of III--V semiconductor compounds (Wiley, 1992)
  7. S.H. Wei, A. Zunger. Appl. Phys. Lett., 56, 662 (1990)
  8. T. Kufui, H. Saito. Jpn. J. Appl. Phys., 23, L521 (1984)
  9. J.E. Ayers. Heteroepitaxy of semiconductors: theory, growth, and characterization (Taylor \& Francis Group, LLC, 2007)
  10. Э.П. Домашевская, П.В. Середин, Э.А. Долгополова, И.Е. Занин, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП, 3, 354 (2005)
  11. H. Nagai. J. Appl. Phys., 45, 9 (1974)
  12. D. Zhou, B.F. Usher. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, 1461 (2001)
  13. Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Sci., London, 1999) v. 2, p. 1
  14. Alex Zunger. MRS-IRS Bulletin (1997). http://www.sst.nrel.gov/images/mrs97

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme