Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP

Румянцев О.И.¹, Брунков П.Н.¹, Пирогов Е.В.¹, Егоров А.Ю.¹

¹Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 30 ноября 2009 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2010 г.

PDF версия

Методами вольт-емкостного профилирования, емкостной и токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования гетероструктур с квантовыми ямами GaP/GaP_1-xN_x и GaP/GaP_1-x-yAs_xN_y, выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии. В гетероструктурах с квантовыми ямами GaP/GaP_1-xN_x обнаружены собственные дефекты с глубокими уровнями 0.17 и 0.08 эВ. Показано, что значительное уменьшение концентрации этих дефектов происходит при замене тройного твердого раствора GaP_1-xN_x, формирующего область квантовой ямы, на четверной раствор GaP_1-x-yAs_xN_y. Обсуждается природа возникающих дефектов и механизмы уменьшения их концентрации.

P.R.C. Kent, A. Zunger. Phys. Rev. B, 64 (11), (2001)
W. Shan, W. Walukiewicz, K.M. Yu, J. Wu, J.W. Ager III, E.E. Haller, H. P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 76, 3251 (2000)
M. Henini. Dilute Nitride Semiconductors (Elsevier B.V., 2005) ch. 14
M. Kaneko, T. Hashizume, V.A. Odnoblyudov, C.W. Tu. J. Appl. Phys., 101, 103 707 (2007)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 2, гл. 2
P.N. Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot. J. Appl. Phys., 80, 864 (1996)
G.M. Martin, E. Est\`eve, P. Langlade, S. Makram-Ebeid. J. Appl. Phys., 56, 2655 (1984)
B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 47, 1131 (1976)
A.A. Istratov. J. Appl. Phys., 82, 2965 (1997)
Yu.A. Goldbery. Handbook Series on Semiconductor Parameters (World Scientific, London, 1996) v. 1, p. 104
K. Zdansky, J. Zavadil, D. Nohavica, S. Kugler. J. Appl. Phys., 83, 7678 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель