Вышедшие номера
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах
Слипченко С.О.1, Шашкин И.С.1, Вавилова Л.С.1, Винокуров Д.А.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Подоскин А.А.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 2009 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2010 г.

Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности.