Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 10 » Статья стр. 1426
<<<>>>
Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs
Берт Н.А.1, Колесникова А.Л.2, Неведомский В.Н.1, Преображенский В.В.3, Путято М.А.3, Романов А.Е.1, Селезнев В.М.3, Семягин Б.Р.3, Чалдышев В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 30 декабря 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
PDF версия
Представлены электронно-микроскопические свидетельства дислокационной релаксации напряжений вблизи квантовых точек InAs, перешедших в объем GaAs путем заращивания. Обнаружено, что в некоторых объемных квантовых точках образуются дислокационные дефекты, не выходящие на поверхность пленки. Это указывает на релаксацию напряжений в заглубленном состоянии квантовой точки, а не на стадии образования и роста островка InAs на поверхности GaAs. Приводятся модели внутренней дислокационной релаксации заращенных квантовых точек. PACS: 61.72.Ff, 61.72.Lk, 81.07.Ta
  1. D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
  2. Self-Assembled Quantum Dots Series: Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology, ed. by Z.M. Wang (Springer, Berlin, 2008)
  3. J.D. Davies. J. Appl. Phys., 84, 1358 (1998)
  4. A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 62, 15 851 (2000)
  5. A.E. Romanov, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 97, 43 708 (2005)
  6. В.П. Евтихиев, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев, А.Е. Романов. ФТП, 36, 79 (2002)
  7. Б.В. Новиков, Г.Г. Зегря, Р.М. Пелещак, О.О. Данькив, В.А. Гайсин, В.Г. Талалаев, И.В. Штром, Г.Е. Цырлин. ФТП, 42, 1094 (2008)
  8. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
  9. J.C. Hamilton, F. Leonard, E. Johnson, U. Dahmen. Phys. Rev. Lett., 98, 236 102 (2007)
  10. F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammarm, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 73, 300 (1994)
  11. K. Tillmann, A. Foster. Thin Sol. Films, 368, 93 (2000)
  12. B.J. Spencer, J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 77, 2533 (2000)
  13. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
  14. V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024 309 (2005)
  15. Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ, 44, 2139 (2002)
  16. А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ, 49, 633 (2007)
  17. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. In: Self-Assembled Quantum Dots, ed. by Z.M. Wang (Springer, 2008) p. 297
  18. J.W. Matheus. Phys. Status Solidi A, 15, 607 (1973)
  19. J.W. Matheus, E. Klokholm, V. Sadagopan, T.S. Plaskett, E. Mendel. Acta Metall., 21, 203 (1973)
  20. N.D. Zakharov, V.N. Rozhanskii, P.L. Kochazhkina. Sov. Phys. Solid State, 16, 1444 (1974)
  21. W.C. Johnson, J.K. Lee. Acta Metall., 31, 1033 (1983)
  22. X.J. Xin, G.S. Daehn, R.H. Wagoner. Acta Mater., 46, 6131 (1998)
  23. V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. Phys. Rev. B, 79, 233304 (2009)
  24. А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.А. Селезнев, В.В. Преображенский. Вестн. НГУ. Сер. Физика, 3 (4), 9 (2008)
  25. В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
  26. K. Sears, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 99, 113 503 (2006)
  27. S. Guha, A. Madhukar, K.C. Rajkumar. Appl. Phys. Lett., 57, 2110 (1990)
  28. N.Y. Jin-Phillipp, F. Phillipp. J. Microscopy, 194, 161 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme