Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs

Берт Н.А.¹, Колесникова А.Л.², Неведомский В.Н.¹, Преображенский В.В.³, Путято М.А.³, Романов А.Е.¹, Селезнев В.М.³, Семягин Б.Р.³, Чалдышев В.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 30 декабря 2008 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

Представлены электронно-микроскопические свидетельства дислокационной релаксации напряжений вблизи квантовых точек InAs, перешедших в объем GaAs путем заращивания. Обнаружено, что в некоторых объемных квантовых точках образуются дислокационные дефекты, не выходящие на поверхность пленки. Это указывает на релаксацию напряжений в заглубленном состоянии квантовой точки, а не на стадии образования и роста островка InAs на поверхности GaAs. Приводятся модели внутренней дислокационной релаксации заращенных квантовых точек. PACS: 61.72.Ff, 61.72.Lk, 81.07.Ta

D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures (Wiley, Chichester, 1998)
Self-Assembled Quantum Dots Series: Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology, ed. by Z.M. Wang (Springer, Berlin, 2008)
J.D. Davies. J. Appl. Phys., 84, 1358 (1998)
A.D. Andreev, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 62, 15 851 (2000)
A.E. Romanov, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 97, 43 708 (2005)
В.П. Евтихиев, О.В. Константинов, А.В. Матвеенцев, А.Е. Романов. ФТП, 36, 79 (2002)
Б.В. Новиков, Г.Г. Зегря, Р.М. Пелещак, О.О. Данькив, В.А. Гайсин, В.Г. Талалаев, И.В. Штром, Г.Е. Цырлин. ФТП, 42, 1094 (2008)
V.A. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys., 71, 1125 (1999)
J.C. Hamilton, F. Leonard, E. Johnson, U. Dahmen. Phys. Rev. Lett., 98, 236 102 (2007)
F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammarm, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 73, 300 (1994)
K. Tillmann, A. Foster. Thin Sol. Films, 368, 93 (2000)
B.J. Spencer, J. Tersoff. Appl. Phys. Lett., 77, 2533 (2000)
V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett., 80, 377 (2002)
V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys., 97, 024 309 (2005)
Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ, 44, 2139 (2002)
А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ, 49, 633 (2007)
N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. In: Self-Assembled Quantum Dots, ed. by Z.M. Wang (Springer, 2008) p. 297
J.W. Matheus. Phys. Status Solidi A, 15, 607 (1973)
J.W. Matheus, E. Klokholm, V. Sadagopan, T.S. Plaskett, E. Mendel. Acta Metall., 21, 203 (1973)
N.D. Zakharov, V.N. Rozhanskii, P.L. Kochazhkina. Sov. Phys. Solid State, 16, 1444 (1974)
W.C. Johnson, J.K. Lee. Acta Metall., 31, 1033 (1983)
X.J. Xin, G.S. Daehn, R.H. Wagoner. Acta Mater., 46, 6131 (1998)
V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.L. Kolesnikova, A.E. Romanov. Phys. Rev. B, 79, 233304 (2009)
А.В. Васев, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.А. Селезнев, В.В. Преображенский. Вестн. НГУ. Сер. Физика, 3 (4), 9 (2008)
В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 36 (8), 897 (2002)
K. Sears, J. Wong-Leung, H.H. Tan, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 99, 113 503 (2006)
S. Guha, A. Madhukar, K.C. Rajkumar. Appl. Phys. Lett., 57, 2110 (1990)
N.Y. Jin-Phillipp, F. Phillipp. J. Microscopy, 194, 161 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель