Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge₂Sb₂Te₅ в сильных электрических полях

Лебедев Э.А.¹, Козюхин С.А.², Константинова Н.Н.¹, Казакова Л.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.

PDF версия

Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0.5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge₂Sb₂Te₅, который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I propto Uⁿ с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma₀exp(F/F₀), где F₀=6·10⁴ B·см^-1, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10^-3-10^-2 см²/B·c. PACS: 71.55.Jv, 73.40.Sx, 72.80.Ng, 73.20.Jc

Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. РЭ, 8, 2097 (1963)
S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами. ФТП, 3, 731 (1969)
D. Adler, H.K. Henisch, N. Mott. Rev. Mod. Phys., 50, 209 (1978)
Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. ФТП, 5, 1568 (1971)
Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. Тр. 6-й Межд. конф. по жидким и аморфным полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 177
A.L. Lacaita. Solid-State Electron., 50, 24 (2006)
Н.Х. Абрикосов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
T.L. Hartke. Phys. Rev., 125 (4), 1177 (1952)
Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. ФТП, 1 (6), 815 (1967)
A. Redaelli, A. Pirovano, F. Pellizzer, A.L. Lacaita, D. Ielmini, R. Bez. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (10), 684 (2004)
A. Pirovano, A.L. Lacaita, F. Pellizzer, S.A. Kostylev, A. Benevenuti, R. Bez. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (5), 714 (2004)
Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. Тр. 6-й Межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 240
Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. ФТП, 15 (8), 1511 (1981)
E. Voronkov. J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
R.M. Hill. Phil. Mag., 23, 59 (1971)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель