Лебедев Э.А.1, Козюхин С.А.2, Константинова Н.Н.1, Казакова Л.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Изучено влияние сильных электрических полей на проводимость слоев толщиной 0.5-1 мкм халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Ge2Sb2Te5, который используется для ячеек фазовой памяти. Установлено, что в сильных полях проявляются зависимость тока I от напряжения U вида I propto Un с показателем степени n~2, связанная с токами, ограниченными пространственным зарядом, и зависимость проводимости sigma от поля F вида sigma=sigma0exp(F/F0), где F0=6·104 B·см-1, обусловленная ионизацией локальных центров. Определенное из величины токов значение подвижности составляет 10-3-10-2 см2/B·c. PACS: 71.55.Jv, 73.40.Sx, 72.80.Ng, 73.20.Jc
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. РЭ, 8, 2097 (1963)
- S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, И.А. Таксами. ФТП, 3, 731 (1969)
- D. Adler, H.K. Henisch, N. Mott. Rev. Mod. Phys., 50, 209 (1978)
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. ФТП, 5, 1568 (1971)
- Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин. Тр. 6-й Межд. конф. по жидким и аморфным полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 177
- A.L. Lacaita. Solid-State Electron., 50, 24 (2006)
- Н.Х. Абрикосов, Г.Т. Данилова-Добрякова. Неорг. матер., 1 (2), 204 (1965)
- А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
- T.L. Hartke. Phys. Rev., 125 (4), 1177 (1952)
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. ФТП, 1 (6), 815 (1967)
- A. Redaelli, A. Pirovano, F. Pellizzer, A.L. Lacaita, D. Ielmini, R. Bez. IEEE Electron. Dev. Lett., 25 (10), 684 (2004)
- A. Pirovano, A.L. Lacaita, F. Pellizzer, S.A. Kostylev, A. Benevenuti, R. Bez. IEEE Trans. Electron. Dev., 51 (5), 714 (2004)
- Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. Тр. 6-й Межд. конф. по аморфным и жидким полупроводникам. Электронные явления в некристаллических полупроводниках (Л., Наука, 1976) с. 240
- Э.А. Лебедев, Н.А. Рогачев. ФТП, 15 (8), 1511 (1981)
- E. Voronkov. J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
- R.M. Hill. Phil. Mag., 23, 59 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.