Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений в сильных электрических полях
1Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2008 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.
Исследовано влияние напряженности электрического поля и температуры на электропроводность аморфных тонких пленок халькогенидных соединений. Показано, что при напряженности электрического поля, превышающей 104 В/см, ток растет экспоненциально с увеличением напряжения. При этом энергия активации температурной зависимости проводимости уменьшается с ростом напряженности электрического поля. На основе допущения о доминирующем влиянии на проводимость роста концентрации носителей заряда с увеличением напряженности поля предложена модель, которая удовлетворительно объясняет экспериментальные результаты. В качестве характеристических параметров модели использована эффективная подвижность носителей заряда ~10-2 см2/(В·с) и характеризующая влияние электрического поля длина активации ~(10-30) нм. PACS: 61.43.Dq, 73.50.Fq, 73.61.Jc
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
- Б.Т. Коломиец, Э.А. Лебедев. Радиотехника и электроника, 8 (12), 2097 (1963)
- S.R. Ovshinsky. Phys. Rev. Lett., 21, 1450 (1968)
- S.R. Ovshinsky, H. Fritzsche. IEEE Trans. Electron Devices, 2, 91 (1973)
- A.L. Lacaita. Sol. St. Electron., 50, 24 (2006)
- A.C. Warren. IEEE Trans. Electron Devices, 2, 123 (1973)
- P.J. Walsh, J.E. Hall, R. Nicolaides, S. Defeo, P. Calella, J. Kuchmas, W. Doremus. J. Non-Cryst. Sol., 2, 107 (1970)
- J.M. Marshall, G.R. Miller. Phil. Mag, B 27, 1151 (1973)
- K.D. Tsendin. J. Optoelectronics Adv. Mater., 9 (10), 3035 (2007)
- D. Adler, M. Shur, M. Silver, S. Ovshinsky. J. Appl. Phys., 51 (6), 3289 (1980)
- A. Pirovano, A.L. Lacaita, F.P. Pelizzer, S.A. Kostylev, A. Benevenuti. IEEE Trans. Electron Devices, 51, 714 (2004)
- E.A. Fagen, H. Fritzsche. J. Non-Cryst. Sol., 2, 170 (1970)
- E. Voronkov. J. Non-Cryst. Sol., 353, 2591 (2007)
- D. Ielmini, Y. Zhang. J. Appl. Phys., 102, 054 517 (2007)
- D. Ielmini. Phys. Rev. B, 78, 035 308 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
