Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In--n-GaN от концентрации основных носителей заряда
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 6 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2008 г.
На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In-n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N=5·1016-1·1018 см-3 основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N<= 8·1018 см-3 - туннелирование. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
- E.H. Rhoderick. Metal--Semiconductor Contacts (Oxford, 1978)
- A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- J.-S. Jang, T.-Y. Seong. Appl. Phys. Lett., 76 (19), 2743 (2000)
- J.D. Guo, C.I. Lin, M.S. Feng, F.M. Pan, G.C. Chi, T.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 68 (2), 235 (1996)
- Z. Fan, S.N. Mohammad, W. Kim, O. Aktas, A.E. Botchkarev, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 68 (12), 1672 (1996)
- C. Lu, H. Chen, X. Lv, X. Xie, S.N. Mohammad. J. Appl. Phys., 91 (11), 9218 (2002)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. Письма ЖТФ, 30 (19), 17 (2004)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, О.В. Константинов, В.Г. Никитин, Е.А. Поссе. ФТП, 40 (10), 1204 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
