Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2008, выпуск 9 » Статья стр. 1126
<<<>>>
Магнитофотолюминесценция в разъединенном гетеропереходе II типа n-GaInAsSb/p-InAs
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1, Королев К.2, Meinning C.3, McCombe B.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Медико-технологическая ассоциация "Крайне высокие частоты", Москва, Россия
3Департамент физики, Университет Буффало, Буффало, США
Поступила в редакцию: 15 января 2008 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.
PDF версия
Исследована магнитофотолюминесценция в спектральном диапазоне 0.3-0.8 эВ в одиночной разъединенной гетероструктуре II типа n-Ga0.94In0.06As0.13Sb0.87/p-InAs с двумерным электронным каналом на гетерогранице, содержащим две заполненные электронные подзоны, в сильных магнитных полях до 10 T при низких температурах (T=7 K). В интервале энергий фотонов 0.5-0.8 эВ наблюдалась объемная фотолюминесценция в слое твердого раствора n-GaInAsSb. В низкоэнергетической части спектра (03-0.45 эВ) обнаружены три узких полосы излучения с энергиями фотонов hnua=0.419, hnub=0.404 и hnuc=0.384 эВ с полушириной пиков FWHM = 4-7 мэВ, обусловленные излучательными переходами двумерных электронов, локализованных в квантовой яме на стороне InAs вблизи гетерограницы II типа. Оценено значение эффективной массы электронов в заполненной подзоне E2 (m2=0.027m0), которая близка к значению эффективной массы на дне зоны проводимости InAs. PACS: 78.67.-n; 78.55.Cr; 75.70.Cn
  1. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев. Письма ЖЭТФ, 43, 387 (1986)
  2. B. Henriques, E.T.R. Chidley, R.J. Nicholas, P. Dawson, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 46, 4047 (1992)
  3. R. Stepniewski, M. Potemski, H. Buhmann, D. Toet, J.C. Maan, G. Martinez, W. Knap, A. Raymond, B. Etienne. Phys. Rev. B, 50, 11 895 (1994)
  4. A. Nazimov, E. Cohen, A. Ron, B.M. Ashkinadze, E. Linder. J. Luminecs., 85, 301 (2000)
  5. K. Kuldova, J. Oswald, J. Zeman, E. Hulicius, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Mater. Sci. Eng. B, 88, 247 (2002)
  6. K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, V.I. Nizhankovskii, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Surf. Sci., 482, 1083 (2001)
  7. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31(8), 763 (1997)
  8. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30, 985 (1996)
  9. M.P. Mikhailova, T.I. Voronina, T.S. Lagunova, K.D. Moiseev, S.A. Obukhov, A.V. Ankudinov, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev. 3rd Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (1995) p. 49
  10. М.П. Михайлова, И.А. Андреев, К.Д. Моисеев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 678 (1995)
  11. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Semicond. Sci. Technol., 19, R109 (2004)
  12. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 212 (1998)
  13. V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev, V.I. Nizhankovski. Phys. Status Solidi A, 195, 194 (2003)
  14. K.D. Moiseev, A. Krier, Yu.P. Yakovlev. J. Appl. Phys., 90, 3988 (2001)
  15. H. Kroemer, G. Griffits. Electron. Dev. Lett., 4, 20 (1983)
  16. M.R. Singh, A. Shik, W. Low. Phys. Low-Dim. Structur., 11, 49 (1997)
  17. К.Д. Моисеев, А.А. Ситникова, Н.Н. Фалеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1438 (2000)
  18. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, T. Simecek, E. Hulicius, J. Oswald. Opt. Mater., 19, 455 (2002)
  19. А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24, 98 (1990)
  20. K.D. Moiseev, J. Zeman, M.L. Sadowski, G. Martinez, V.A. Berezovets, P.N. Brunkov, V.I. Falko, M.P. Mikhailova, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. 11th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (2003) p. 216
  21. K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev, T. Simecek, E. Hulicius, J. Oswald. J. Appl. Phys., 90(6), 2813 (2001)
  22. K.D. Moiseev, A. Krier, Yu.P. Yakovlev. J. Electron. Mater., 33(8), 867 (2004)
  23. P.J.P. Tang, C.C. Phillips, R.A. Stradling. Semicond. Sci. Technol., 8, 2135 (1993)
  24. V.I. Ivanov-Omskii, I.A. Petroff, V.A. Smirnov, Sh.U. Yuldashev, I.T. Ferguson, P.J.P. Tang, C.C. Phillips, R.A. Stradling. Semicond. Sci. Technol., 8, 276 (1993)
  25. A. Manassen, E. Cohen, A. Ron, E. Linder, L.N. Pfeiffer. Phys. Rev. B, 54, 10 609 (1996)
  26. J. Christen, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 42, 7213 (1990)
  27. M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, I.A. Andreev, K.D. Moiseev, I.N. Timchenko, Yu.P. Yakovlev. SPIE Proc., 2397, 166 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme