Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение характеристик оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6H-SiC под воздействием сверхвысокочастотной обработки
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
2Таганрогский государственный радиотехнический университет, Таганрог, Россия
2Таганрогский государственный радиотехнический университет, Таганрог, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Методами оптического поглощения и фотолюминесценции исследовано влияние сверхвысокочастотного (СВЧ) воздействия на свойства пленок оксидов Ti, Gd, Er, осажденных на карбиде кремния. Проведен анализ атомарного состава исследуемых пленок в зависимости от времени сверхвысокочастотной обработки. Показано, что сверхвысокочастотное воздействие приводит к появлению дополнительной полосы в спектрах фотолюминесценции исследуемых структур. Установлено, что длительная сверхвысокочастотная обработка приводит к росту коэффициента пропусания образцов, что является свидетельством улучшения интегральных характеристик структуры. PACS: 68.35.Dv, 61.82.Fk, 78.68.+m, 81.40.Wx
- С.Б. Блудов, Н.П. Гадецкий, К.А. Кравцов, Ю.В. Лонин, И.И. Магда, С.И. Найстетер, Е.А. Прасол, Ю.Ф. Прокопенко, С.С. Пушкарев, Ю.В. Ткач, И.В. Харченко, В.И. Чумаков. Физика плазмы, 20 (7), 712 (1994)
- А.А. Беляев, А.Е. Беляев, И.Б. Ермолович, С.М. Комиренко, Р.В. Конакова, В.Г. Ляпин, В.В. Миленин, Е.А. Соловьев, М.В. Шевелев. ЖТФ, 68 (12), 49 (1998)
- T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.A. Masin, I.V. Prokopenko. Metal Phys. Adv. Technol., 19 (3), 71 (1997)
- Д.Е. Абдурахимов, В.Л. Верещагин, В.П. Калинушкин, В.А. Никитин, М.Г. Плоппа, М.Д. Райзер. Кр. сообщ. по физике, 6, 27 (1991)
- О.Б. Охрименко. Петербургский журн. электроники, 1 (42), 27 (2005)
- М.А. Родионов, В.А. Рожков. Письма ЖТФ, 31 (3), 55 (2005)
- А.М. Светличный, Д.А. Сеченов, В.М. Бурштейн, Л.В. Воронцов, В.В. Поляков, С.И. Соловьев, О.А. Агеев. Электронная промышленность, 3, 6 (1991)
- Ю.Ю. Бачериков, Н.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, О.С. Кондратенко, О.С. Литвин, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, Л.М. Капитанчук, А.М. Светличный, В.В. Поляков, А.А. Шелкунов. ЖТФ, 77 (2), 107 (2007)
- Ю.Ю. Бачериков, Р.В. Конакова, А.Н. Кочеров, П.М. Литвин, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный. ЖТФ, 73 (5), 75 (2003)
- Г.К. Сафаралиев, Ю.Н. Эмиров, М.К. Курбанов, Б.А. Билалов. ФТП, 34 (8), 929 (2000)
- Lyle Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B., 5 (8), 3253 (1972)
- W.J. Choyke, Lyle Patrick. Phys. Rev. B., 4 (6), 1843 (1971)
- И.С. Горбань, С.Н. Рудько. ФТТ, 5 (5), 1368 (1963)
- В.В. Макаров. ФТТ, 13 (8), 2357 (1971)
- В.И. Левин, Ю.М. Таиров, В.Ю. Цветков. ФТП, 18 (7), 1194 (1984)
- A.O. Konstantinov, A. Herny, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2250 (1995)
- В.А. Рожков, М.А. Родионов. Письма ЖТФ, 31 (2), 67 (2005)
- N.K. Sahoo, R.B. Tokas, S. Thakur. Appl. Surf. Sci., 253 (4), 1787 (2006)
- S. Thakur, N.K. Sahoo, M. Senthilkumar, R.B. Tokas. Opt. Mater., 27, 1402 (2005)
- Ю.К. Ковнеристый, И.Ю. Лазарева, А.А. Раваев. Материалы, поглощающие СВЧ излучение (М., Наука, 1982) с. 51
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986) с. 131
- В.Е. Панин, В.Е. Егорушкин, А.В. Панин, Д.Д. Моисеенко. ЖТФ, 77 (8), 62 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
