Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Вариация края поглощения света в пленках SiNx с кластерами кремния
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Институт микроэлектроники и информатики, Ярославль, Россия
2Институт микроэлектроники и информатики, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.
С помощью оптических методов исследования получены данные об оптических константах пленок нитрида кремния, синтезированных методом плазмохимического осаждения. Рассмотрены модели расчета диэлектрической проницаемости в концепции неоднородной смеси фаз кремния и нитрида кремния. Обнаружено, что край поглощения света (Eg) и максимум пика фотолюминесценции сдвигаются в красную область спектра с уменьшением атомной доли азота в пленках SiNx. При приближении x к значению 4/3, характерному для стехиометрического нитрида кремния Si3N4, наблюдается нелинейное, резкое увеличение Eg. Методом комбинационного рассеяния света обнаружено наличие связей Si-Si, что подтверждает формирование кластеров кремния непосредственно в процессе осаждения пленок. Установлена взаимосвязь состава нестехиометричных пленок нитрида кремния, значений диэлектрической проницаемости и ширины оптической зоны пропускания света. PACS: 61.43.Dq, 64.70.Nd, 78.20.Ci, 81.05.Ge
- М.Д. Ефремов, С.А. Аржанникова, В.А. Володин, Г.Н. Камаев, Д.В. Марин. Вестник НГУ. Сер. Физика, 2, 51 (2007)
- V.A. Volodin, M.D. Efremov, V.A. Gritsenko, S.A. Kochubei. Appl. Phys. Lett. 73 (9), 1212 (1998)
- М.М. Горшков. Эллипсометрия (М., Сов. радио, 1974)
- В.Н. Новиков, А.П. Соколов, О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова, М.М. Мездрогина. ФТТ, 32 (5), 1515 (1990)
- J. Tauc. In: Optical properties of solids, ed. by F. Abeles (North-Holland Publ. Co, 1972) P. 277
- D.E. Aspnes. Thin Sol. Films, 89, 249 (1982)
- D.A.G. Bruggeman. Ann. Phys. (Leipzig), 24, 636 (1935)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
- Fernando Alvarez, Ariel A. Valladares. Phys. Rev. B, 68, 205 203 (2003)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982) гл. 9, с. 67
- S.A. Arzhannikova, M.D. Efremov, V.A. Volodin, G.N. Kamaev, D.V. Marin, S.A. Soldatenkov, V.S. Shevchuk, S.A. Kochubei, A.A. Popov, Yu.A. Minakov. Sol. St. Phenomena, 108--109, 53 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
