"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект поля и электрическая емкость кристаллов кремния при прыжковой проводимости по точечным радиационным дефектам, "локализующим" уровень Ферми
Поклонский Н.А.1, Вырко С.А.1, Забродский А.Г.2
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2007 г.

Проведен расчет статического эффекта поля и электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой проводимости по дефектам в зарядовых состояниях (+1),(0) и (-1), "локализующим" уровень Ферми. В запрещенной зоне кремния дефекты в зарядовых состояниях (0) и (+1) формируют v'-зону, а в зарядовых состояниях (-1) и (0) формируют c'-зону. Ширина энергетических c'- и v'-зон рассчитывается в предположении кулоновского взаимодействия каждого заряженного дефекта только с ближайшим по расстоянию ионом. Величина энергетической щели между c'- и v'-зонами дефектов полагается постоянной. Предсказывается немонотонность зависимости емкости и поверхностной прыжковой проводимости от электрического потенциала на поверхности сильнодефектных кристаллов кремния. PACS: 72.10.Fk, 72.20.Ee, 72.80.Cw
  • В.А. Козлов, В.В. Козловский. ФТП, 35 (7), 769 (2001)
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты (М., Мир, 1985)
  • P.F. Lugakov, T.A. Lukashevich, V.V. Shusha. Phys. Status Solidi A, 74 (2), 445 (1982)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348 (1-4), 213 (2004)
  • M. McPherson. Physica B, 344 (1-4), 52 (2004)
  • P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. M aczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. Status Solidi A, 128 (2), K117 (1991)
  • N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov. Phys. Status Solidi B, 88 (2), K165 (1978)
  • Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин. ФТТ, 40 (10), 1805 (1998)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  • Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, С.Л. Поденок. Статистическая физика полупроводников (М., КомКнига, 2005)
  • Н.В. Кузнецов, Г.Г. Соловьев. Радиационная стойкость кремния (М., Энергоатомиздат, 1989)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Г. Бискупски. ФТП, 33 (4), 415 (1999)
  • Н.А. Поклонский, С.Ю. Лопатин, А.Г. Забродский. ФТТ, 42 (3), 432 (2000)
  • Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 41 (1), 31 (2007)
  • Н.А. Поклонский, С.А. Вырко, А.Г. Забродский. ФТП, 40 (4), 400 (2006)
  • В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, Наука, 1984)
  • А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ФТП, 37 (6), 686 (2003)
  • J. Krupski. Phys. Status Solidi B, 157 (1), 199 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.