Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модификация свойств пористого кремния при адсорбции молекул йода
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 23 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Методами инфракрасной спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса исследованы свойства слоев пористого кремния, сформированных на монокристаллических пластинах кремния p- и n-типа проводимости, при адсорбции молекул йода I2. Установлено, что в слоях, полученных на подложках p-типа, в атмосфере молекул I2 может происходить значительное увеличение концентрации носителей заряда - дырок до значений ~ 1018-1019 cм-3. В слоях пористого кремния, сформированных на подложках n-типа проводимости, зафиксированы вызванное адсорбцией инвертирование типа носителей заряда и частичное замещение кремний-водородных связей на связи кремний-йод. Обнаружено уменьшение концентрации поверхностных парамагнитных дефектов - Pb-центров в исследуемых образцах после адсорбции йода. Полученные экспериментальные данные объясняются в рамках модели, предполагающей формирование как глубоких, так и мелких акцепторных состояний на поверхности нанокристаллов кремния при адсорбции молекул I2. PACS: 68.43.-h, 78.30.-j, 78.55.Mb
- A. Uhlir. Bell Syst. Tech., 35, 333 (1956)
- J. Rouquerol, D. Avnir, C.W. Fairbridge, D.H. Everett, J.H. Haynes, N. Pernicone, J.D.F. Ramsay, K.S.W. Sing, K.K. Unger. Pure Appl. Chem., 66, 1739 (1994)
- O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
- V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 222, R1 (2000)
- Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126 (10), 857 (2004)
- Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 39, 482 (2005)
- А.В. Павликов, Л.А. Осминкина, И.А. Белогорохов, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 39, 1385 (2005)
- M. Chiesa, G. Amato, L. Boarino, E. Garrone, F. Geobaldo, E. Giamello. Angew. Chem., 42, 5031 (2003)
- L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A.M. Rossi, G. Faglia, G. Le'rondel, G. Sberveglieri. Mater. Sci. Engin., B, 69--70, 210 (2000)
- L. Boarino, F. Geobaldo, S. Borini, A.M. Rossi, P. Rivolo, M. Rocchia, E. Garrone, G. Amato. Phys. Rev. B, 64, 205 308 (2001)
- Y. Yang, J.A. Yarmoff. Surf. Sci., 573, 335 (2004)
- D. Rioux, F. Stepniak, R.J. Pechman, J.H. Weaver. Phys. Rev. B, 51, 10 981 (1995)
- K. Kurita, T. Shingyouji. Jap. J. Appl. Phys., 38, 5710 (1999)
- W. Theib. Surf. Sci. Rep., 29, 91 (1997)
- H. Hara, Y. Nishi. J. Phys. Soc. Japan, 21, 6 (1966)
- W. Spitzer, H.Y. Fan. Phys. Rev., 108, 2 (1957)
- D.K. Schroder, R.N. Thomos, J.C. Swartz. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 2 (1978)
- Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
- H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka. Phys. Rev. B, 47, 10 899 (1993)
- Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 32 (1996)
- P.M. Lenahan, J.F. Conley, Jr. J. Vac.Sci. Technol. B, 16, 2134 (1998)
- X. Zhou, M. Ishida, A. Imanishi, Y. Nakato. Electrochim. Acta, 45, 4655 (2000).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
