"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур ITO--GaSe
Ковалюк З.Д.1, Литовченко П.Г.2, Политанская О.А.1, Сидор О.Н.1, Катеринчук В.Н.1, Ластовецкий В.Ф.2, Литовченко О.П.2, Дубовой В.К.2, Поливцев Л.А.2
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Исследовано влияние быстрых нейтронов с энергией 1 МэВ на фотоэлектрические параметры гетероструктур ITO--GaSe. Показано, что наблюдаемые изменения вольт-амперных характеристик обусловлены действием проникающего излучения на обе компоненты структуры, с чем связан рост сопротивления гетероструктур. Наличие тонкой структуры экситона в спектрах фоточувствительности после облучения показывает, что, несмотря на внесенные радиационные дефекты, GaSe сохраняет структурное совершенство. Полученные результаты объясняются пространственным перераспределением легирующей примеси в GaSe и структурными изменениями в пленках ITO. PACS: 61.80.Hg, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 73.50.Pz
  1. К.Д. Товстюк. Полупроводниковое материаловедение (Киев, Наук. думка, 1984)
  2. C. De Blasi, D. Manno, A. Rizzo. J. Cryst. Growth, 100, 347 (1990)
  3. Г.Б. Абдулаев, А.З. Абасова, К.А. Аскеров, Ф.А. Заитов, Э.Ю. Салаев, В.И. Стафеев. Неорг. матер., 19 (4), 679 (1983)
  4. Г.Б. Абдулаев, А.З. Абасова, Ф.А. Заитов, Л.С. Лепнев, В.И. Стафеев, В.Н. Чкунина. ФТП, 16 (6), 1136 (1982)
  5. A.L. Dawar, J.C. Joshi, J. Review. J. Mater. Sci., 19 (1), 1 (1984)
  6. A.M. Goodman. J. Appl. Phys., 34 (2), 329 (1963)
  7. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 2
  8. K.Ng Kwok. Complete guide to semiconductor devices (N. Y., McGraw-Hill, 1995)
  9. A.Y.C. Yu, E.H. Snow. IEEE Trans., NS-16 (6), 220 (1969)
  10. Р. Ламберт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  11. Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (М., Наука и техника, 1978)
  12. А.З. Абасова, Ф.А. Заитов. ФТП, 20 (4), 613 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.