Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа
Грехов И.В.1, Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках 4H-SiC, легированных алюминием (концентрация 2· 1015 см-3), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля: alphap=alpha*pexp(-F*/F). Максимальный коэффициент ионизации alpha*p=7.1· 106 см-3 · с-1, а пороговое поле F*=2.9· 104 В/см. PACS: 72.20.-i, 78.45.+h
- T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83 (9), 1713 (2003)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 22 (2004)
- Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Ю. Паневин, А.Н. Сафронов, Д.В. Цой, А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, О.В. Бандаренко. Письма ЖТФ, 32 (9), 34 (2006)
- P.-C. Lv, X. Zhang, J. Kolodzey, A. Powell. Appl. Phys. Lett., 87, 241 114 (2005)
- A. Dargys, A. Cesna, J. Cundrotas. Semicond. Sci. Technol., 7, 210 (1992)
- G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electronics and Systems, 15 (4), 705 (2005)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985) гл. 5, с. 146
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
