"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа
Грехов И.В.1, Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках 4H-SiC, легированных алюминием (концентрация 2· 1015 см-3), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля: alphap=alpha*pexp(-F*/F). Максимальный коэффициент ионизации alpha*p=7.1· 106 см-3 · с-1, а пороговое поле F*=2.9· 104 В/см. PACS: 72.20.-i, 78.45.+h
  1. T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83 (9), 1713 (2003)
  2. P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 22 (2004)
  3. Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Ю. Паневин, А.Н. Сафронов, Д.В. Цой, А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, О.В. Бандаренко. Письма ЖТФ, 32 (9), 34 (2006)
  4. P.-C. Lv, X. Zhang, J. Kolodzey, A. Powell. Appl. Phys. Lett., 87, 241 114 (2005)
  5. A. Dargys, A. Cesna, J. Cundrotas. Semicond. Sci. Technol., 7, 210 (1992)
  6. G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electronics and Systems, 15 (4), 705 (2005)
  7. К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985) гл. 5, с. 146

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.