Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.
Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках 4H-SiC, легированных алюминием (концентрация 2· 1015 см-3), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля: alphap=alpha*pexp(-F*/F). Максимальный коэффициент ионизации alpha*p=7.1· 106 см-3 · с-1, а пороговое поле F*=2.9· 104 В/см. PACS: 72.20.-i, 78.45.+h
- T.N. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 83 (9), 1713 (2003)
- P.-C. Lv, R.T. Troeger, T.N. Adam, S. Kim, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett., 85 (1), 22 (2004)
- Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Ю. Паневин, А.Н. Сафронов, Д.В. Цой, А.Ю. Егоров, А.Г. Гладышев, О.В. Бандаренко. Письма ЖТФ, 32 (9), 34 (2006)
- P.-C. Lv, X. Zhang, J. Kolodzey, A. Powell. Appl. Phys. Lett., 87, 241 114 (2005)
- A. Dargys, A. Cesna, J. Cundrotas. Semicond. Sci. Technol., 7, 210 (1992)
- G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electronics and Systems, 15 (4), 705 (2005)
- К.В. Шалимова. Физика полупроводников (М., Энергоатомиздат, 1985) гл. 5, с. 146
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
