Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние морфологии подложек InP на шероховатость интерфейсов и дефектность гетероструктур квантово-каскадных лазеров
Российский научный фонд, 21-72-30020-П
Папылев Д.С.
1, Новиков И.И.
1,2, Андрюшкин В.В.
1,2, Гладышев А.Г.
2, Дюделев В.В.
3, Карачинский Л.Я.
1,2, Бабичев А.В.
1, Няпшаев И.А.
3, Егоров А.Ю.
2,3, Соколовский Г.С.
3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: dspapylev@itmo.ru
Поступила в редакцию: 18 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 23 октября 2025 г.
Принята к печати: 5 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 1 декабря 2025 г.
Исследовано влияние подложек InP различных производителей на структурные характеристики гетероструктур квантово-каскадных лазеров, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на заращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии темплейтах. Комплексный анализ методами рентгеновской рефлектометрии и оптической дефектометрии выявил уменьшение среднеквадратичного значения шероховатости интерфейсов на 42-47 % и уменьшение плотности точечных дефектов в 1.5-4.0 раза при использовании подложек одного производителя при одинаковых номинальных параметрах подложек. Результаты подтверждают критическую роль качества подложек в снижении плотности точечных дефектов и шероховатости интерфейсов гетероструктур квантово-каскадных лазеров. Ключевые слова: квантово-каскадный лазер, шероховатость интерфейсов, дефекты, рентгеновская рефлектометрия, гетероструктура.
- A.Yu. Egorov, A.V. Babichev, L.Yu. Karachinsky, I.I. Novikov, E.V. Nikitina, M. Tchernycheva, I.S. Tarasov. Semiconductors, 49 (11), 1527 (2015)
- A.V. Babichev, A. Bousseksou, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, E.V. Nikitina, A.N. Sofronov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 50 (10), 1299 (2016)
- A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 52 (6), 745 (2018)
- Y. Zhao, J. Zhang, C. Cai, J. Chen, X. Zhao, C. Liang, R. Che. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12 (37), 41950 (2020)
- Y. Chiu, Y. Dikmelik, P.Q. Liu, N.L. Aung, J.B. Khurgin, C.F. Gmachl. Appl. Phys. Lett., 101 (17), 171117 (2012)
- C. Boyle, K.M. Oresick, J.D. Kirch, Y.V. Flores, L.J. Mawst, D. Botez. Appl. Phys. Lett., 117 (5), 051103 (2020)
- J.B. Khurgin, Y. Dikmelik, P.Q. Liu, A.J. Hoffman, M.D. Escarra, K.J. Franz, C.F. Gmachl. Appl. Phys. Lett., 94 (9), 091101 (2009)
- Y.V. Flores, S.S. Kurlov, M. Elagin, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink. Appl. Phys. Lett., 103 (16), 161102 (2013)
- K.A. Krivas, D.O. Winge, M. Franckie, A. Wacker. J. Appl. Phys., 118 (11), 114501 (2015)
- M. Adamcyk, T. Pinnington, A. Ballestad, T. Tiedje. Mater. Sci. Eng. B, 75 (2-3), 153 (2000)
- L. Cheng, J. Fan, D. Janssen, D. Guo, X. Chen, F.J. Towner, F.S. Choa. J. Electron. Mater., 41 (3), 506 (2012)
- E. Chason, T.M. Mayer. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 22 (1), 1 (1997)
- A. Steinbach, U. Subramaniam. Be market ready (KLA-Tencor Corporation, 2006) v. 66
- M. Lammel, K. Geishendorf, M.A. Choffel, D.M. Hamann, D.C. Johnson, K. Nielsch, A. Thomas. Appl. Phys. Lett., 117 (21), 213104 (2020)
- L.G. Parratt. Phys. Rev., 95 (2), 359 (1954)
- P.F. Fewster. Rep. Progr. Phys., 59, 1339 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
