Экспериментально подтверждена способность металлического золота химически взаимодействовать с полупроводниковыми кристаллами A^IIIB^V - арсенидами и фосфидами при температурах, не допускающих еще спонтанной диссоциации этих кристаллов. Показана высокая селективность такого взаимодействия по отношению к кристаллографической ориентации, контактирующей с золотом поверхности. Наблюдаемый каталитический эффект золота на диссоциацию химических связей в данных кристаллах связывается с присутствием на их поверхностях димеризованных атомов мышьяка или фосфора, находящихся в контакте с Au. Близость энергетических положений неподеленных пар электронов на орбиталях оборванных связей атомов димеров B^V к уровню Ферми в золоте обеспечивает возможность туннельного переноса от них электронов в металл и появления радикальных одноэлектронных состояний на оборванных связях атомов димеров. Рассмотрена цепочка последующих за этим процессов, приводящих к формированию и отщеплению молекул B^V₂ от поверхности кристалла и растворению в золоте высвобождающихся атомов A^III. Каждый из таких процессов требуют меньших энергий активации, нежели непосредственная диссоциация соединения. Предлагаемая интерпретация взаимодействия поверхностей кристаллов A^IIIB^V с золотом объясняет наблюдаемое внедрение металла в их объем и кристаллографические конфигурации возникающих при этом ямок травления. Предварительно рассмотрены процессы, обеспечивающие появление областей прямого контакта кристаллов с золотом, нанесенным на их исходно окисленную поверхность. Ключевые слова: полупроводники A^IIIB^V, естественный окисел, реконструкция поверхности, димеры атомов группы B^V, поверхностные состояния, золото, туннельные явления, каталитическая диссоциация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.