Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование характеристик AlGaN/GaN СВЧ-транзисторов с полевыми электродами на подложке кремния

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, FSMR-2023-0002

Журавлев М.Н.

¹, Земляков В.Е.

¹, Гуминов Н.В.¹, Зайцев А.А.

¹, Шпаков Д.С.¹, Макарцев И.В.¹, Дудинов К.В.

², Егоркин В.И.

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

²АО "НПП "Исток" им. А.И. Шокина, Московская обл., Фрязино, Россия JSC ”RPC ”Istok“ named after Shokin, 141190 Moscow region, Fryazino, Russia

Email: maxim@org.miet.ru

Поступила в редакцию: 17 июля 2025 г.

В окончательной редакции: 27 августа 2025 г.

Принята к печати: 11 сентября 2025 г.

Выставление онлайн: 13 октября 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован электрический пробой и СВЧ характеристики AlGaN/GaN-транзисторов с полевыми электродами различных конструкций, электрически соединенных с истоком через общую шину. Показано, что добавление полевых электродов увеличивает пробивное напряжение, повышает коэффициент усиления более чем на 2 дБ в диапазоне частот до 15 ГГц. Ключевые слова: полевой электрод, нитрид галлия, GaN, мощный СВЧ HEMT, пробивное напряжение, максимально стабильное усиление.

J.R. Kumar, H.V. Du John, I.V.K. Jebalin, J. Ajayan, A. Delighta, D. Nirmal. Microelectronics J., 140, 105951 (2023)
Y.-F. Wu, A. Saxler, M. Moore, R.P. Smith, S. Sheppard, P.M. Chavarkar, T. Wisleder, U.K. Mishra, P. Parikh. IEEE Electron Dev. Lett., 25 (3), 117 (2004)
S. Karmalkar; U.K. Mishra. IEEE Trans. Electron Dev., 48 (8), 1515 (2001)
C. Dundar, D. Kara, N. Donmezer. IEEE Trans. Electron Dev., 67 (1), 57 (2020)
V. Kumar, G. Chen, S. Guo, I. Adesida. IEEE Trans. Electron Dev., 53 (6), 1477 (2006)
М.Н. Журавлев, В.И. Егоркин. ФТП, 57 (9), 773 (2023).
J.L. Lyons, A. Janotti, C.G. Van de Walle. Appl. Phys. Lett., 97, 152108 (2010)
T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, J. Suda. J. Appl. Phys., 129, 185702 (2021)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. 2-е изд. (М., Мир, 1984) кн. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель