Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2006 г.
Работа посвящена теоретическому объяснению характерного для светодиодных гетероструктур на основе AlInGaN падения эффективности электролюминесценции с ростом тока накачки. В результате численного моделирования показано, что рост внешнего квантового выхода при малых значениях плотности тока J~ 1 А/см2 обусловлен конкуренцией между излучательной и безызлучательной рекомбинацией. Падение же квантового выхода при плотностях тока J>10 А/см2 связано с уменьшением коэффициента инжекции дырок в активную область. Показано, что в этом эффекте важную роль играет заглубление энергетического уровня акцепторов в эмиттере AlGaN, а также малые значения подвижностей электронов и дырок в p-области. Предложена модификация светодиодной гетероструктуры, в которой спад эффективности с ростом тока накачки наблюдаться не должен. PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.20.Bh, 78.67.De, 85.60.Jb.
- T. Mukai, M.Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
- M.Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, 1431 (2002)
- С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37 (9), 1131 (2003)
- Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева6 Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
- V.F. Mymrin, K.A. Bulashevich, N.I. Podolskaya, I.A. Zhmakin, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Phys. Status Solidi (c), 2 (7), 2928 (2005)
- X.A. Cao, S.F. LeBoeuf, M.P. D'Evelyn, S.D. Arthur, J. Kretchmer, C.H. Yan, Z.H. Yang. Appl. Phys. Lett., 84 (21), 4313 (2004)
- А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33 (2), 224 (1999)
- M.G. Cheong, E.-K. Suh, H.J. Lee, M. Dawson. Semicond. Sci. Technol., 17 (5), 446 (2002)
- А.Л. Закгейм. Светодиоды и лазеры, 1-2, 33 (2002)
- A. Zakauskas, R. Gaska, M. Shur. Introduction to Solid-State Lighting (John Wiley \& Sons Inc., 2002)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94, 3675 (2003)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)ю
- T.A. Davis. UMFPACK Version 4.4 User Guide, http://www.cise.ufl.edu/research/sparse/umfpack/ (2005)
- Z.P. Guan, J.Z. Li, G.Y. Zhang, S.X. Jin, X.M. Ding. Semicond. Sci. Technol., 15, 51 (2000)
- M.L. Nakarmi, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 80 (7), 1210 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
