Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение

Russian Science Foundation, 19-72-30023

Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , FWGW-2025-0014

Дураков Д.Е.^1,2, Петров А.С.

^1,2, Рогило Д.И.^1,2, Макеева А.А.¹, Насимов Д.А.¹, Никифоров Д.Ф.^1,2, Курусь Н.Н.¹, Милехин А.Г.¹, Щеглов Д.В.¹, Латышев А.В.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Email: durakov@isp.nsc.ru, alexey_petrov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 2 июня 2025 г.

В окончательной редакции: 16 июня 2025 г.

Принята к печати: 30 июня 2025 г.

Выставление онлайн: 29 июля 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано изменение дифракционных картин в режиме in situ в процессе формирования графена на поверхности подложек 6H-SiC(0001). Определены характерные особенности изменения дифракционных картин при индуцированных термическим отжигом морфологических переходах от изначально шероховатой поверхности 6H-SiC(0001) к ступенчато-террасированной с последующим формированием на ней буферного углеродного слоя и, далее, эпитаксиального графена. С помощью ex situ методов атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлена корреляция морфологии, стехиометрического состава и степени совершенства поверхности образцов с наблюдаемыми дифракционными картинами, полученными на соответствующих этапах формирования графена. Ключевые слова: графен, SiC, АСМ, КРС, СЭМ, ДБЭО.

P.V. Ratnikov, A.P. Silin. Uspekhi Fiz. Nauk, 188 (12), 1249 (2018)
A.K. Geim, A.H. MacDonald. Phys. Today, 60 (8), 35 (2007)
K.V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G.L. Kellogg, L. Ley, J.L. McChesney, T. Ohta, S.A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg, A.K. Schmid, D. Waldmann, H.B. Weber, T. Seyller. Nature Materials, 8 (3), 203 (2009)
C. Riedl, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett., 103 (24), 246804 (2009)
L. Nemec, V. Blum, P. Rinke, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett., 111 (6), 1 (2013)
J.D. Emery, B. Detlefs, H.J. Karmel, L.O. Nyakiti, D.K. Gaskill, M.C. Hersam, J. Zegenhagen, M.J. Bedzyk. Phys. Rev. Lett., 111 (21), 215501 (2013)
K.V. Emtsev, F. Speck, T. Seyller, L. Ley, J.D. Riley. Phys. Rev. B, 77 (15), 155303 (2008)
S. Goler, C. Coletti, V. Piazza, P. Pingue, F. Colangelo, V. Pellegrini, K.V. Emtsev, S. Forti, U. Starke, F. Beltram. Carbon N.Y., 51, 249 (2013)
A. Ouerghi, A. Kahouli, D. Lucot, M. Portail, L. Travers, J. Gierak, J. Penuelas, C. Jardin, E. Bedel, F. Jomard. Appl. Phys. Lett., 96 (19), 19 (2010)
C. Riedl, C. Coletti, U. Starke. J. Phys. D: Appl. Phys., 43 (37), 374009 (2010)
H. Huang, W. Chen, S. Chen, A.T.S. Wee. ASC Nano, 2 (12), 2513 (2008)
J.B. Hannon, M. Copel, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 107 (16), 166101 (2011)
Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Е.Е. Родякина, А.С. Петров, С.А. Пономарев, Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.В. Латышев. Кристаллография, 66 (4), 528 (2021)
И.С. Котоусова, С.П. Лебедев, В.В. Антипов, А.А. Лебедев. ФTT, 64 (12), 2055 (2022)
A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotechnol., 8 (4), 235 (2013)
F. Fromm, M.H. Oliveira, jr., A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J.M.J. Lopes, H. Riechert, L. Wirtz, T. Seyller. New J. Phys., 15 (4), 043031 (2013)
T. Wang, J.-R. Huntzinger, M. Bayle, C. Roblin, J.-M. Decams, A.-A. Zahab, S. Contreras, M. Paillet, P. Landois. Carbon N.Y., 163, 224 (2020)
T. Milenov, P. Rafailov, R. Yakimova, I. Shtepliuk, V. Popov. J. Raman Spectrosc., 55 (3), 416 (2024)
Z. Wu, I. Kang, Y. Yao, Y. Jiang, J. Deng, J. Klug, S. Vogt, G. Barbastathis. eLight, 3, 12 (2023)
L. Helfen, T. Baumbach, P. Mikuli k, D. Kiel, P. Pernot, P. Cloetens, J. Baruchel. Appl. Phys. Lett., 86 (7), 1 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель