Использование халькогенидных полупроводниковых соединений, в частности материала Ge-Sb-Te с фазовой памятью, имеет важное значение для дальнейшего развития микро- и наноэлектроники, в том числе для создания пространственно-временных терагерцовых модуляторов для высокоскоростной беспроводной связи, элементов нейроморфной фотоники, метаматериалов для машинного обучения, а также плазмонных устройств и приложений, обеспечивающих хранение данных с возможностью их дальнейшей реконфигурации. В данной работе исследуется изменение проходящего через терагерцовый волновод сигнала в зависимости от фазового состояния тонкой пленки Ge-Sb-Te, покрывающей волновод. В рамках работы были изготовлены два варианта волноводов: безоболочечные и на основе эффективной среды. Материал фазовой памяти применялся для управления параметрами проходящего сигнала. В ходе экспериментов было установлено, что значение контраста в поглощении между аморфным и кристаллическим состояниями Ge-Sb-Te превышает 10 дБ для случая, когда ориентация вектора напряженности поля, распространяющегося по волноводу, перпендикулярно слою Ge-Sb-Te. Полученные результаты открывают возможность использования разработанных элементов в качестве реконфигурируемых аттенюаторов при создании устройств интегральной терагерцовой фотоники. Ключевые слова: халькогенидные полупроводники, материал с фазовой памятью GST, терагерцовая фотоника, высокоомный кремний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.