Вышедшие номера
Влияние внешнего электрического поля на вероятность оптических переходов в квантовых ямах InGaAs/GaAs
Пихтин А.Н.1, Комков О.С.1, Базаров К.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.

Методом спектроскопии электроотражения исследовано влияние внешнего электрического поля на межзонные оптические переходы в одиночных квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. Предложена методика выделения вклада отдельных экситонных переходов в формирование сложного модуляционного спектра. Экспериментально наблюдались нетривиальные полевые зависимости вероятности запрещенных по симметрии оптических переходов. Проведено сравнение полученных данных с соответствующими теоретическими зависимостями. Напряженность внутреннего электрического поля в области квантовой ямы контролировалась по осцилляциям Франца-Келдыша. При некоторых значениях напряженности вероятность запрещенных в нулевом поле переходов превышала вероятность разрешенных. PACS: 78.67.De, 73.21.Fg