Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование латерального транспорта носителей в структурах с квантовыми точками InGaN в активной области
Сизов В.С.1, Сизов Д.С.1, Михайловский Г.А.1, Заварин Е.Е.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2006 г.
Исследовались структуры на основе GaN с квантовыми точками InGaN в активной области, излучающие в синем и зеленом диапазонах света. Сравнивались структуры, выращенные как традиционным способом, так и с применением специальных методик выращивания активной области. Применение таких специальных режимов роста стимулирует активированный фазовый распад, приводящий к образованию квантовых точек с существенно большей глубиной локализации электронов. Показано, что образование таких глубоких квантовых точек, так же как и образование более крупных неоднородностей активной области, существенно подавляет латеральный транспорт носителей. Это улучшает характеристики светодиодных структур при малом уровне инжекции, а также увеличивает температурную стабильность квантовой эффективности. PACS: 85.60.Th, 68.55.Bd, 78.67.Hc, 85.60.Dm, 78.55.-m, 85.42.+m, 72.40.+w
- T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
- F. Scholtz, et al. Proc. 7th Eur. Workshop EW MOVPE" (Berlin, June 8-11, 1997) paper G0
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor. Nanotechnology, 11 (4), 309 (2000)
- I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002)
- C.K. Choi, Y.H. Kwon, B.D. Little, G.H. Gainer, J.J. Song, Y.C. Chang, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Phys. Rev. B, 64, 245 339 (2001)
- Yukio Narukawa, Shin Saijou, Yoichi Kawakami, Shigeo Fujita. Appl. Phys. Lett., 74, 558 (1999).
- D.S. Sizov, V.S. Sizov, G.E. Onushkin, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.M. Araktcheeva, N.N. Ledentsov. Proc. Int. Conf. (Minsk, Belarus, May 24-27, 2005) to be published
- D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.I. Besulkin, A.V. Fomin, V.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 12th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 21-25, 2004)
- D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.V. Fomin, V.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 7th Int. Conf. PHOTONICS 2004" (Kochin, India, Dec. 9-11, 2004)
- P.G. Eliseev, J. Appl. Phys., 93, 5404 (2003)
- A. Reznitsky et al. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-25, 2005) to be published
- D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, M.E. Twigg, J.C. Culbertson, R.J. Gorman. MRS Internet. J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.70 (1999)
- D.S. Sizov, V.S. Sizov, V.V. Lundin, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Vlasov, N.N. Ledentsov. Proc. 13th Int. Symp. Nanostructures. Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 19-25, 2005) to be published
- Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (2), 264 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
