"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теория формирования многослойных тонких пленок на поверхности твердого тела
Дубровский В.Г.1,2, Сибирев Н.В.3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Устинов В.М.1,2
1Санкт-Петeрбургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2006 г.

Теоретически исследуется процесс роста бездислокационной тонкой пленки, осаждаемой на поверхность твердого тела из газообразной фазы. Рассматривается наиболее распространенный случай, когда монослои растут по двумерному механизму, а каждый следующий слой формируется на заполненных участках предыдущего слоя. Построена самосогласованная кинетическая модель формирования пленки, которая позволяет при известной энергетике системы и условиях роста рассчитать ее структурные характеристики на различных стадиях ростового процесса. Найдена функция распределения островков по размерам на стадии изолированного роста островков, периметр границы слоя и степень заполнения поверхности на стадии формирования сплошного слоя, средняя высота и шероховатость поверхности трехмерной пленки. Приведен алгоритм численных расчетов и примеры расчетов для модельных систем. Полученные результаты могут быть использованы для управления и оптимизации ростовых процессов в различных технологических методах осаждения тонких пленок. PACS: 68.55.Ac, 81.15.As
  • Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 1 (1998)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  • D. Kashchiev. Nucleation: Basic Theory with Applications (Oxford, Butterworth Heinemann, 2000).
  • Ф.М. Куни, А.П. Гринин. Коллоид. журн., 46, 23 (1984)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Chem. Phys., 107, 3247 (1997)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ, 38, 443 (1996)
  • В.З. Беленький. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации (М., Наука, 1980)
  • В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок (М., Энергоатомиздат, 1993)
  • V.G. Dubrovskii. Phys. Status Solidi B, 171, 345 (1992)
  • D. Kashchiev. J. Cryst. Growth, 40, 29 (1977)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин. ЖТФ, 67, 136 (1997)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин. ФТП, 39, 1312 (2005)
  • А.А. Чернов. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов, под ред. Б.К. Вайнштейна (М., Наука, 1980)
  • V.G. Dubrovskii. J. Phys.: Condens. Matter, 16, 6929 (2004)
  • А.Г. Филаретов, Г.Э. Цырлин. ФТТ, 33, 1329 (1991)
  • Г.Э. Цырлин. Письма ЖТФ, 23 (4), 61 (1997)
  • L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.