Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2006, выпуск 2 » Статья стр. 207
<<<>>>
Модификация квантовых точек в наноструктурах Ge/Si импульсным лазерным облучением
Володин В.А.1, Якимов А.И.1, Двуреченский А.В.1, Ефремов М.Д.1, Никифоров А.И.1, Гацкевич Е.И.2, Ивлев Г.Д.2, Михалёв Г.Ю.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.
PDF версия
Цель исследования заключалась в разработке метода модификации структуры квантовых точек в наноструктурах Ge/Si с применением импульсного лазерного излучения. Изменение структуры квантовых точек GexSi1-x анализировалось по данным спектроскопии комбинационного рассеяния света. Методом спектроскопии комплексной проводимости исследован энергетический спектр дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками GexSi1-x до и после импульсного лазерного воздействия. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о том, что лазерная обработка позволяет уменьшить слоевую плотность квантовых точек, изменить их состав и увеличить средний размер. Наиболее важным результатом является обнаруженный эффект увеличения однородности параметров квантовых точек в результате наносекундного лазерного воздействия. Так, обработка образца со средним латеральным размером квантовых точек 8 нм (6 монослоев Ge) десятью лазерными импульсами приводит к двукратному уменьшению дисперсии энергетических уровней дырок в массиве квантовых точек. PACS: 63.22.+m, 66.10.Cb, 81.15.Hi
  1. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский. ФТП, 34, 1281 (2000)
  2. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. ФТП, 37, 1352 (2003)
  3. A.V. Kolobov. J. Appl. Phys., 87, 2926 (2000)
  4. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Письма ЖЭТФ, 80, 367 (2004)
  5. G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich, D.N. Sharaev. Proc. SPIE, 4157, 78 (2001).
  6. Г.Д. Ивлев. Письма ЖТФ, 22, 86 (1996)
  7. G.D. Ivlev, E.I. Gatskevich. Appl. Surf. Sci., 143, 265 (1999)
  8. J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994)
  9. P.H. Tan, K. Brunner, D. Bougeard, G. Abstreiter. Phys. Rev. B, 68, 125 302 (2003)
  10. J. Groenen, R. Carles et al. Appl. Phys. Lett., 71, 3856 (1997)
  11. E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitsky, V.A. Shvets, S.I. Chikichev, A.S. Mardezhov, N.I. Nazarov, V.A. Volodin. Thin Sol. Films, 455--456, 700 (2004)
  12. W.-H. Chang, W.Y. Chen, M.C. Cheng et al. Phys. Rev. B, 64, 125 315 (2001)
  13. P.N. Brunkov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov et al. J. Electron. Mater., 28, 486 (1999)
  14. П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов. ФТП, 30, 924 (1996)
  15. A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Nanotechnology, 13, 75 (2002)
  16. O. Engstrom, M. Malmkvist, Y. Fu, H.O. Olafsson, E.O. Sveinbjornsson. Appl. Phys. Lett., 83, 3578 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme