Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 10 » Статья стр. 552
<<<>>>
Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga+ в структуре GaAs/Al0.3Ga0.7As
Российский научный фонд, № 20-79-10285–П
Вознюк Г.В.1, Григоренко И.Н.1, Лила А.С.1,2, Митрофанов М.И.1, Бабичев А.В.2, Смирнов А.Н.1, Николаев Д.Н.1, Слипченко С.О.1, Давыдов В.Ю.1, Цацульников А.Ф.3, Евтихиев В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: glebufa0@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 31 июля 2024 г.
Принята к печати: 30 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2024 г.
PDF версия
Методом рамановской спектроскопии исследованы литографические рисунки, сформированные сфокусированным ионным пучком Ga+ в гетероструктуре GaAs/Al0.3Ga0.7As. Было обнаружено, что в ходе травления происходит накопление радиационных дефектов, концентрация которых зависит от энергии ионов и ионной дозы. Показано, что выбор режимов травления и отжига позволяют восстанавливать кристаллическое совершенство гетероструктуры. Ключевые слова: микро-рамановская спектроскопия, сфокусированный ионный пучок, радиационные дефекты, гетероструктура.
  1. M. Manoccio, M. Esposito, A. Passaseo, M. Cuscun\`a, V. Tasco. Micromachines, 12, 6 (2020). DOI: 10.3390/mi12010006
  2. P. Li, S. Chen, H. Dai, Z. Yang, Z. Chen, Y. Wang, Y. Chen, W. Peng, W. Shan, H. Duan. Nanoscale, 13, 1529 (2021). DOI: 10.1039/d0nr07539f
  3. G. Seniutinas, A. Balvcytis, I. Reklaitis, F. Chen, J. Davis, C. David, S. Juodkazis. Nanophotonics, 6, 923 (2017). DOI: 10.1515/nanoph-2017-0008
  4. G.V. Voznyuk, I.N. Grigorenko, A.S. Lila, M.I. Mitrofanov, D.N. Nikolaev, V.P. Evtikhiev. Semiconductors, 56, 894 (2022). DOI: 10.21883/sc.2022.12.55147.4423
  5. M. Takiguchi, G. Zhang, S. Sasaki, K. Tateno, C. John, M. Ono, H. Sumikura, A. Shinya, M. Notomi. Nanotechnology, 34, 135301 (2023). DOI: 10.1088/1361-6528/acb0d5
  6. W. Wesch, E. Wendler. Ion Beam Modification of Solids (Springer International Publishing, 2016)
  7. S.V. Gotoshia L.V. Gotoshia. Phys. Status Solidi C, 10, 646 (2013). DOI: 10.1002/pssc.201200847
  8. I.D. Desnica-Frankovic. J. Appl. Phys., 85, 7587 (1999). DOI: 10.1063/1.370559
  9. A.N. Akimov, L.A. Vlasukova, G.A. Gusakov, F.F. Komarov, A.A. Kutas, A.P. Novikov. Radiat. Efа. Defects Solids, 129, 147 (1994). DOI: 10.1080/10420159408229013
  10. J. Jimenez, J.W. Tomm. Spectroscopic Analysis of Optoelectronic Semiconductors (Springer International Publishing, 2016) p. 77
  11. G.V. Voznyuk, I.N. Grigorenko, A.S. Lila, M.I. Mitrofanov, D.N. Nikolaev, V.P. Evtikhiev. Semiconductors, 56, 12 (2022). DOI: 10.21883/sc.2022.12.55147.4423
  12. Z. Cevher, P.A. Folkes, H.S. Hier, B.L. VanMil, B.C. Connelly, W.A. Beck, Y.H. Ren. J. Appl. Phys., 123, 161512 (2017). DOI: 10.1063/1.4986297

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme