"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование наноструктур в системе Ga2Se3 / GaAs
Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Арсентьев И.Н.2, Стародубцев А.А.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Методом атомно-силовой микроскопии исследовалась топология поверхностей GaAs (100) и (111) до и после кратковременных обработок в парах селена. Из анализа результатов этих исследований в сочетании с эллипсометрией и электронной микроскопией предложен механизм образования и роста наноостровков и слоя Ga2Se3 (110) на поверхностях GaAs (100) и (111).
  1. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  2. B.J. Skromme, C.J. Sandroff, E. Yablonovich, T.J. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 2022 (1987)
  3. E. Yablonovitch, C.J. Sandroff, R. Bhat, T. Gmitter. Appl. Phys. Lett., 51, 439 (1987)
  4. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
  5. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
  6. Б.Л. Агапов, И.Н. Арсентьев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, М.П. Сумец. ФТП, 33, 712 (1999)
  7. Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Назаренко, А.Н. Зяблов, А.А. Стародубцев. Конденсированные среды и межфазные границы, 6, 225 (2004)
  8. B.I. Sysoev, V.D. Strygin, G.I. Kotov, E.N. Nevrueva, E.P. Domashevskaya. Phys. Status Solidi A, 129, 207 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.