Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения

Гамарц А.Е.¹, Канагеева Ю.М.¹, Мошников В.А.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показана возможность неразрушающего, бесконтактного измерения концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца по спектрам отражения. Приведены исследования изменения концентрации носителей заряда в таких образцах при проведении кратковременных сенсибилизирующих отжигов.

A.F. Gibson, W.D. Lawson, T.S. Moss. Pros. Phys. Soc., A-64, 1054 (1957)
J.N. Hamphry, W.W. Scanlon. Phis. Rev., 5 (3), 256 (1957)
Е.М. Гамарц, В.А. Крылов. Петербургский журн. электроники, N 1, 54 (2004)
I.G. Lukitsa, E.M. Gamarts, V.A. Krylov, S.I. Frantsuzova. European Patent N 98403035.3-2204 (Приоритет 16.02.99)
T. Boudet, J. Fantini, E. Gamarts, V. Krilov. European Patent N 01401408.8-2204 (Приоритет 17.01.01)
С.М. Репинский. ФТП, 35, 1050 (2001)
А.И. Попов, В.А. Воронцов, И.А. Попов. ФТП, 35, 665 (2001)
Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. ФТП, 20, 59 (1986)
Л.Н. Неустроев, В.В. Осипов. Микроэлектроника, 17 (5), 399 (1988)
В.Т. Трофимов, Ю.Г. Селиванов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 30, 755 (1996)
В.А. Мошников, С.Л. Милославов. В сб.: Получение и свойства полупроводниковых соединений A^IIB^VI и A^IVB^VI и твердых растворов на их основе (М., МИСИС, 1977), с. 302
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
Е.М. Гамарц, Н.В. Голубченко, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. Петербургский журн. электроники, N 4, 11 (2003)
А.А. Кухарский, В.К. Субашиев. ФТТ, 6, 753 (1966)
А.Е. Гамарц, В.М. Лебедев, В.А. Мошников, Д.Б. Чеснокова. ФТП, 38, 1195 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель