Вышедшие номера
Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении
Российский научный фонд, № 19-72-20039
Санкт-Петербургский государственный университет, № 94030557
Чукеев М.А. 1, Храмцов Е.С. 1, Чжэн Шимин1, Игнатьев И.В. 1, Елисеев С.А. 2, Ефимов Ю.П. 2
1Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: maxchukeev@gmail.com, e.khramtsov@spbu.ru, zsm210603@gmail.com, i.ignatiev@spbu.ru, sergej.eliseev@spbu.ru, yuryefimov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, квантовая яма, спектр отражения.
  1. S.I. Tsintzos, A. Tzimis, G. Stavrinidis, A. Trifonov, Z. Hatzopoulos, J.J. Baumberg, H. Ohadi, P.G. Savvidis. Phys. Rev. Lett., 121 (3), 037401 (2018)
  2. L.V. Butov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 418, 751 (2002)
  3. L.V. Butov, C.W. Lai, A.L. Ivanov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 417, 47 (2002)
  4. Z. Voros, D.W. Snoke, L. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. Lett., 103 (1), 016403 (2009)
  5. P. Andreakou, S. Cronenberger, D. Scalbert, A. Nalitov, N.A. Gippius, A.V. Kavokin, M. Nawrocki, J.R. Leonard, L.V. Butov, K.L. Campman, A.C. Gossard, M. Vladimirova. Phys. Rev. B, 91 (12), 125437 (2015)
  6. D.J. Choksy, Chao Xu, M.M. Fogler, L.V. Butov, J. Norman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 103 (4), 045126 (2021)
  7. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. Lett., 53 (22), 2173 (1984)
  8. A. Thilagam. Appl. Phys. A, 64 (1), 83 (1997)
  9. J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B, 31 (6), 3893 (1985)
  10. D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C. Burrus. Phys. Rev. B, 32 (2), 1043 (1985)
  11. L. Schultheis, K. Kohler, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 36 (12), 6609 (1987).
  12. R.T. Collins, L. Vina, W.I. Wang, L.L. Chang, L. Esaki, K.v. Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 36 (3), 1531 (1987)
  13. M. Whitehead, G. Parry, K. Woodbridge, P.J. Dobson, G. Duggan. Appl. Phys. Lett., 52 (5), 345 (1988)
  14. I.V. Ponomarev, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 72 (11), 115304 (2005)
  15. А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев. Письма ЖЭТФ, 84 (6), 390 (2006)
  16. А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев. Письма ЖЭТФ, 96 (2), 145 (2012)
  17. S.V. Lobanov, N.A. Gippius, L.V. Butov. Phys. Rev. B, 94 (24), 245401 (2016)
  18. Е. Ивченко, П. Копьев, В. Кочерешко, И. Уральцев, Д. Яковлев, С. Иванов, Б. Мельцер, М. Калитиевский. ФТП, 22, 784 (1988)
  19. E. Ivchenko, A. Kavokin, V. Kochereshko, P. Kop'ev, N. Ledentsov. Superlatt. Microstr., 12 (3), 317 (1992)
  20. Е. Ивченко, В. Кочерешко, А. Платонов, Д. Яковлев, A. Baar, B. Occay, Г. Ландвер. ФТТ, 39, 2072 (1992)
  21. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Springer, Berlin, 2004) p. 437
  22. P.Yu. Shapochkin, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev. Phys. Rev. Appl., 12 (3), 034034 (2019)
  23. A.V. Trifonov, S.N. Korotan, A.S. Kurdyubov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, V.V. Ovsyankin, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 91, 115307 (2015)
  24. I. Strzalkowski, S. Joshi, C.R. Crowell. Appl. Phys. Lett., 28 (6), 350 (2008)
  25. A.S. Kurdyubov, A.V. Trifonov, I.Ya. Gerlovin, B.F. Gribakin, P.S. Grigoryev, A.V. Mikhailov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, M. Assmann, M. Bayer, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 104 (3), 035414 (2021)
  26. A.S. Kurdyubov, A.V. Trifonov, A.V. Mikhailov, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, I.V. Ignatiev. Phys. Rev. B, 107, 075302 (2023)
  27. M.D. Sturge. Phys. Rev., 127, 768 (1962)
  28. J. Heckotter, M. Freitag, D. Frohlich, M. Ab mann, M. Bayer, M.A. Semina, M.M. Glazov. Phys. Rev. B, 98, 035150 (2018)
  29. D.F. Mursalimov, A.V. Mikhailov, A. Kurdyubov, A.V. Trifonov, I.V. Ignatiev. Semiconductors, 56, 2021 (2022).
  30. P. Grigoryev, A. Kurdyubov, M. Kuznetsova, I. Ignatiev, Yu. Efimov, S. Eliseev, V. Petrov, V. Lovtcius, P. Shapochkin. Superlatt. Microstr., 97, 452 (2016)
  31. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  32. M.N. Bataev, M.A. Chukeev, M.M. Sharipova, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov. Phys. Rev. B, 106, 085407 (2022)
  33. E.S. Khramtsov, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, I.V. Ignatiev, S.Yu. Verbin, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, V.V. Petrov, S.L. Yakovlev. J. Appl. Phys., 119, 184301 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.