Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении
Российский научный фонд, № 19-72-20039
Санкт-Петербургский государственный университет, № 94030557
Чукеев М.А.
1, Храмцов Е.С.
1, Чжэн Шимин
1, Игнатьев И.В.
1, Елисеев С.А.
2, Ефимов Ю.П.
21Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Ресурсный центр "Нанофотоника", Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: maxchukeev@gmail.com, e.khramtsov@spbu.ru, zsm210603@gmail.com, i.ignatiev@spbu.ru, sergej.eliseev@spbu.ru, yuryefimov@mail.ru
Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, квантовая яма, спектр отражения.
- S.I. Tsintzos, A. Tzimis, G. Stavrinidis, A. Trifonov, Z. Hatzopoulos, J.J. Baumberg, H. Ohadi, P.G. Savvidis. Phys. Rev. Lett., 121 (3), 037401 (2018)
- L.V. Butov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 418, 751 (2002)
- L.V. Butov, C.W. Lai, A.L. Ivanov, A.C. Gossard, D.S. Chemla. Nature, 417, 47 (2002)
- Z. Voros, D.W. Snoke, L. Pfeiffer, K. West. Phys. Rev. Lett., 103 (1), 016403 (2009)
- P. Andreakou, S. Cronenberger, D. Scalbert, A. Nalitov, N.A. Gippius, A.V. Kavokin, M. Nawrocki, J.R. Leonard, L.V. Butov, K.L. Campman, A.C. Gossard, M. Vladimirova. Phys. Rev. B, 91 (12), 125437 (2015)
- D.J. Choksy, Chao Xu, M.M. Fogler, L.V. Butov, J. Norman, A.C. Gossard. Phys. Rev. B, 103 (4), 045126 (2021)
- D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. Lett., 53 (22), 2173 (1984)
- A. Thilagam. Appl. Phys. A, 64 (1), 83 (1997)
- J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B, 31 (6), 3893 (1985)
- D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C. Burrus. Phys. Rev. B, 32 (2), 1043 (1985)
- L. Schultheis, K. Köhler, C.W. Tu. Phys. Rev. B, 36 (12), 6609 (1987).
- R.T. Collins, L. Vina, W.I. Wang, L.L. Chang, L. Esaki, K.v. Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, 36 (3), 1531 (1987)
- M. Whitehead, G. Parry, K. Woodbridge, P.J. Dobson, G. Duggan. Appl. Phys. Lett., 52 (5), 345 (1988)
- I.V. Ponomarev, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 72 (11), 115304 (2005)
- А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев. Письма ЖЭТФ, 84 (6), 390 (2006)
- А.В. Горбунов, В.Б. Тимофеев. Письма ЖЭТФ, 96 (2), 145 (2012)
- S.V. Lobanov, N.A. Gippius, L.V. Butov. Phys. Rev. B, 94 (24), 245401 (2016)
- Е. Ивченко, П. Копьев, В. Кочерешко, И. Уральцев, Д. Яковлев, С. Иванов, Б. Мельцер, М. Калитиевский. ФТП, 22, 784 (1988)
- E. Ivchenko, A. Kavokin, V. Kochereshko, P. Kop'ev, N. Ledentsov. Superlatt. Microstr., 12 (3), 317 (1992)
- Е. Ивченко, В. Кочерешко, А. Платонов, Д. Яковлев, A. Baar, B. Occay, Г. Ландвер. ФТТ, 39, 2072 (1992)
- E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Springer, Berlin, 2004) p. 437
- P.Yu. Shapochkin, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev. Phys. Rev. Appl., 12 (3), 034034 (2019)
- A.V. Trifonov, S.N. Korotan, A.S. Kurdyubov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, V.V. Ovsyankin, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 91, 115307 (2015)
- I. Strzalkowski, S. Joshi, C.R. Crowell. Appl. Phys. Lett., 28 (6), 350 (2008)
- A.S. Kurdyubov, A.V. Trifonov, I.Ya. Gerlovin, B.F. Gribakin, P.S. Grigoryev, A.V. Mikhailov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, M. Assmann, M. Bayer, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B, 104 (3), 035414 (2021)
- A.S. Kurdyubov, A.V. Trifonov, A.V. Mikhailov, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, I.V. Ignatiev. Phys. Rev. B, 107, 075302 (2023)
- M.D. Sturge. Phys. Rev., 127, 768 (1962)
- J. Heckotter, M. Freitag, D. Fröhlich, M. Ab mann, M. Bayer, M.A. Semina, M.M. Glazov. Phys. Rev. B, 98, 035150 (2018)
- D.F. Mursalimov, A.V. Mikhailov, A. Kurdyubov, A.V. Trifonov, I.V. Ignatiev. Semiconductors, 56, 2021 (2022).
- P. Grigoryev, A. Kurdyubov, M. Kuznetsova, I. Ignatiev, Yu. Efimov, S. Eliseev, V. Petrov, V. Lovtcius, P. Shapochkin. Superlatt. Microstr., 97, 452 (2016)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
- M.N. Bataev, M.A. Chukeev, M.M. Sharipova, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov. Phys. Rev. B, 106, 085407 (2022)
- E.S. Khramtsov, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, I.V. Ignatiev, S.Yu. Verbin, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, V.V. Petrov, S.L. Yakovlev. J. Appl. Phys., 119, 184301 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.