Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56465.16k

Здоровейщев Д.А.

¹, Вихрова О.В.

¹, Данилов Ю.А.

¹, Лесников В.П.

¹, Нежданов А.В.

¹, Парафин А.Е.

², Планкина С.М. ¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Email: danielzdoroveishev@yandex.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, danilov@nifti.unn.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, parafin@ipmras.ru, plankina@phys.unn.ru

Поступила в редакцию: 24 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.

Принята к печати: 1 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Импульсное лазерное напыление в вакууме при 220^oC слоев GaAs, сильно легированных Mn и (или) Bi, использовано для формирования наноструктур на подложках i-GaAs (100). Показано, что для электрической активации марганца целесообразно использовать последующий отжиг импульсом эксимерного лазера с длиной волны 248 нм и длительностью 30 нс. Структуры показывают аномальный эффект Холла с петлей гистерезиса на магнитополевой зависимости вплоть до температуры Кюри ~ 70 K. Отрицательное магнетосопротивление наблюдается вплоть до температур ~150 K. Висмут не препятствует активации атомов Mn при отжиге и способствует увеличению коэрцитивного поля ферромагнитного полупроводника GaMnAs. Ключевые слова: арсенид галлия, импульсное лазерное напыление, легирование Bi и Mn, импульсный лазерный отжиг, ферромагнитные свойства.

A.R. Mohmad, F. Bastiman, C.J. Hunter, R.D. Richards, S.J. Sweeney, J.S. Ng, J.P.R. David, B.Y. Majlis. Phys. Status Solidi B, 251, 1276 (2014)
B. Fluegel, S. Francoeur, A. Mascarenhas, S. Tixier, E.C. Young, T. Tiedje. Phys. Rev. Lett., 97, 067205 (2006)
R.N. Kini, A. Mascarenhas. In: Bismuth-Containing Compounds (Springer Series in Materials Science), 186, 181 (2013)
K. Alberi, B. Fluegel, D.A. Beaton, M. Steger, S.A. Crooker, A. Mascarenhas. Phys. Rev. Mater., 2, 114603 (2018)
N. Elayech, H. Fitouri, Y. Essouda, A. Rebey, B. El Jani. Phys. Status Solidi C, 20, 138 (2015)
J. Sadowski, A. Kaleta, S. Kryvyi, D. Janaszko, B. Kurowska, M. Bilska, T. Wojciechowski, J.Z. Domagala, A.M. Sanchez, S. Kret. Sci. Rep., 12, 6007 (2022)
J. Veletas, T. Hepp, K. Volz, S. Chatterjee. J. Appl. Phys., 126, 135705 (2019)
Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35 (1), 92 (2001)
T. Andrearczyk, K. Levchenko, J. Sadowski, K. Gas, A. Avdonin, J. Wrobel, T. Figielski, M. Sawicki, T. Wosinski. Materials, 16, 788 (2023)
О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Д.А. Здоровейщев, И.Л. Калентьева, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, А.В. Нежданов, А.Е. Парафин. ФТТ, 65 (5), 754 (2023)
T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys., 86, 187 (2014)
H. Akinaga, J. De Boeck, G. Borghs, S. Miyanishi, A. Asamitsu, W. Van Roy, Y. Tomioka, L.H. Kuo. Appl. Phys. Lett., 72, 3368 (1998)
S. Zhou. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 263001 (2015)
J.S. Blakemore. J. Appl. Phys., 53, R123 (1982)
K. Wan, J.F. Young. Phys. Rev. B, 41 (15), 10772 (1990)
W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag. Phys. Rev. B, 66, 205209 (2002)
J.A. Steele, R.A. Lewis, M. Henini, O.M. Lemine, D. Fan, Yu.I. Mazur, V.G. Dorogan, P.C. Grant, S.-Q. Yu, G.J. Salamo. Opt. Express, 22 (10), 11680 (2014)
M.J. Seong, S. Francoeur, S. Yoon, A. Mascarenhas, S. Tixier, M. Adamcyk, T. Tiedje. Superlattices Microstruct., 37 (11), 394 (2005)
О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, А.В. Здоровейщев, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, А.В. Нежданов, С.А. Павлов, А.Е. Парафин, И.Ю. Пашенькин, С.М. Планкина. ФТТ, 59 (11), 2130 (2017)
T. Andrearczyk, K. Levchenko, J. Sadowski, J.Z. Domagala, A. Kaleta, P. Dluzewski, J. Wrobel, T. Figielski, T. Wosinski. Materials, 13, 5507 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель