"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кварцевые микротрубки на основе макропористого кремния
Астрова Е.В.1, Боровинская Т.Н.1, Перова Т.С.2, Заморянская М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет Дублина, Тринити Колледж, Дублин 2, Ирландия
Поступила в редакцию: 9 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2004 г.

Сообщается об условиях образования кварцевых микротрубок диаметром 5-10 мкм в процессе структурирования окисленного макропористого кремния. Показано, что микротрубки с закрытым дном могут быть зафиксированы в вертикальном положении на равном расстоянии друг от друга в соответствии с "решеткой" макропористого кремния и представлять интерес как пробирки для микролаборатории на чипе. Тонкие и длинные кварцевые микротрубки в неупорядоченном состоянии формируют "стекловату". Обнаружено, что микротрубки и "стекловата" обладают интенсивной фото- и катодолюминесценцией с максимумами в зеленой области спектра.
  1. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Wiley-WCH Verlag GmbH, 2002)
  2. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Haase. Mater. Sci. Eng., R39, 93 (2002).
  3. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
  4. Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, В.А. Толмачев, Т.С. Перова. ФТП, 38, 97 (2004)
  5. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  6. O. Bisi, Stefano Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
  7. L. Tsybeskov, Ju.V. Vandyshev, P.M. Fauchet. Phys. Rev. B, 49, 7821 (1994)
  8. A. Kux, D. Kovalev, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 66, 49 (1995)
  9. A.J. Kontkievicz, A.M. Kontkievicz, J. Siejka, S. Sen, G. Novak, A.M. Hoff, P. Saktivel, K. Ahmed, P. Mukherjee, S. Witanachi, L. Lagowski. Appl. Phys. Lett., 65, 1436 (1994)
  10. J.H. Stathis, M.A. Kastner. Phys. Rev. B, 35, 2972 (1987)
  11. А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном SiO2 (Зинатне, Рига, 1985)
  12. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, I.M. Kotina, S.G. Konnikov. Proc. 7th Int. Symp. Silicon Nitride and Silicon Dioxide Thin Insulating Films, Paris, April 27-May 2, (2003) p. 348
  13. M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 737, F.3.40, 1 (2003)
  14. C. Diaz-Guerra, D.A. Kurdyukov, J. Piqueras, V.I. Sokolov, M.V. Zamoryanskaya. J. Appl. Phys., 89, 2720 (2001)
  15. P.G. Papi, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol., A4, 689 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.