Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временные характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками

DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55894.08k

Переводная версия: 10.61011/SC.2023.04.56421.08k

Российский научный фонд, Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых, 19-72-10011

Яблонский А.Н.¹, Юрасов Д.В.¹, Захаров В.Е.¹, Перетокин А.В.¹, Степихова М.В.¹, Шалеев М.В.¹, Шенгуров Д.В.¹, Родякина Е.Е.^2,3, Смагина Ж.В.², Дьяков С.А.⁴, Новиков А.В.^1,5

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

⁴Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия Skolkovo Institute of Science and Technology, Moscow, Russia

⁵Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: yablonsk@ipmras.ru

Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 19 июня 2023 г.

Принята к печати: 20 июня 2023 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временные характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов, полученных на основе структур с самоформирующимися Ge(Si)-наноостровками. Показано, что одними из основных факторов, оказывающих влияние на спектральное положение и форму линий фотолюминесценции, а также на кинетику фотолюминесценции фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками, наряду со структурой мод фотонного кристалла, являются локальный разогрев исследуемых образцов и концентрация неравновесных носителей заряда, создаваемых при поглощении возбуждающего излучения. Ключевые слова: самоформирующиеся Ge(Si)-наноостровки, двумерные фотонные кристаллы, спектроскопия микрофотолюминесценции, кинетика фотолюминесценции. DOI: 10.21883/FTP.2023.04.55894.08k

J. Wang, Y. Long. Sci. Bulletin, 63, 1267 (2018)
S. David, M. El kurdi, P. Boucaud, A. Chelnokov, V. Le Thanh, D. Bouchier, J.-M. Lourtioz. APL, 83, 2509 (2003)
Y. Shiraki, X. Xu, J. Xia, T. Tsuboi, T. Maruizumi. ECS Transactions, 45 (5), 235 (2012)
M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, T. Fromherz, F. Schaffler. ACS Photon., 4, 665 (2017)
V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. Petrov, J. Schilling. Nano Lett., 17 (11), 6886 (2017)
S. Saito, A. Al-Attili, K. Oda, Y. Ishikawa. Semicond. Sci. Technol., 31, 043002 (2016)
V. Reboud, A. Gassenq, J. Hartmann, J. Widiez, L. Virot, J. Aubin, K. Guilloy, S. Tardif, J. Fedeli, N. Pauc, A. Chelnokov, V. Calvo. Progr. Cryst. Growth Charac. Mater., 63, 1 (2017)
R. Apertz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker, H. Luth. APL, 66, 445 (1995)
L. Vescan, T. Stoica, O. Chretien, M. Goryll, E. Mateeva, A. Muck. J. Appl. Phys., 87, 7275 (2000)
Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002)
Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasilnik, К.Е. Kudryavtsev, D.N. Lobanov, А.V. Novikov, М.V. Shaleev, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, А.N. Yablonskiy. Thin Sol. Films, 517, 398 (2008)
Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov, D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, S.V. Obolenskiy, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 26, 014029 (2011)
S. Fan, P.R. Villeneuve, J.D. Joannopoulos, E.F. Schubert. PRL, 78 (17), 3294 (1997)
M. Boroditsky, R. Vrijen, T.F. Krauss, R. Coccioli, R. Bhat, E. Yablonovitch. J. Lightwave Technol., 17 (11), 2096 (1999)
R. Jannesari, M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, K. Hingerl, T. Fromherz, F. Schaffler. Opt. Express, 22, 25426 (2014)
A. Mahdavi, G. Sarau, J. Xavier, T.K. Paraiso, S. Christiansen, F. Vollmer. Sci. Rep., 6, 25135 (2016)
M.V. Stepikhova, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, M.V. Shaleev, D.E. Utkin, V.V. Rutckaia, E.V. Skorokhodov, S.M. Sergeev, D.V. Yurasov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 34, 024003 (2019)
S.A. Dyakov, M.V. Stepikhova, A.A. Bogdanov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, Z.F. Krasilnik, S.G. Tikhodeev, N.A. Gippius. Laser Photonics Rev., 15, 2000242 (2021)
E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, М.В. Степихова, С.М. Сергеев, Н.А. Байдакова, М.В. Шалеев, З.Ф. Красильник. ФТП, 54 (10), 1150 (2020)
Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, В.А. Вербус, А.В. Новиков. Письма ЖТФ, 49 (10), 29 (2023)
A.V. Peretokin, D.V. Yurasov, M.V. Stepikhova, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, D.V. Shengurov, S.A. Dyakov, E.E. Rodyakina, Zh.V. Smagina, A.V. Novikov. Nanomaterials, 13 (10), 1678 (2023
S.G. Tikhodeev, A.L. Yablonskii, E.A. Muljarov, N.A. Gippius, T. Ishihara. Phys. Rev. B, 66, 045102 (2002)
J.R. Lowney. J. Appl. Phys., 66 (9), 4279 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель