Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n+-Si-Al с барьером Шоттки
Воробец Г.И.1, Воробец М.М.1, Стребежев В.Н.1, Бузанeва Е.В.2, Шкавро А.Г.2
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича (физический факультет), Черновцы, Украина
2Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (радиофизический факультет), Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Методами оптической и растровой электронной микроскопии в сочетании с послойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии в сформированных на свободной поверхности кремния и в окнах SiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al с барьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.
- В.И. Фистуль, А.М. Павлов. ФТП, 17, 854 (1983)
- Г.В. Майрановский, В.И. Фистуль, М.В. Фистуль. ФТП, 19, 2082 (1985)
- В.И. Фистуль, А.М. Павлов, А.П. Агеев, А.Ш. Аронов. ФТП, 20, 2140 (1986)
- E.V. Buzaneva, G.I. Vorobets, V.I. Strykha, P.P. Shevchuk, A.G. Shkavro. In Abstract Booklet: International school-conference on physical problems in material science of semiconductors (Chernivtsi, Ukraine, 1995) p. 305
- G.I. Vorobets, O.I. Vorobets, A.P. Fedorenko. Problems of Optics and High Technology Material Science: Scientific works (Kiev, 2002) p. 156
- В.Н. Абакумов, Ж.И. Алфёров, Ю.В. Ковальчук, Е.Л. Портной. ФТП, 17, 2224 (1983)
- У. Дьюли. Лазерная технология и анализ материалов (М., Мир, 1986)
- Е.Е. Квасов, В.В. Макаров. ФТП, 18, 747 (1984)
- В.С. Сергеев, О.А. Кузнецов, Н.П. Захаров, В.А. Летягин. Напряжения и деформации в элементах микросхем (М., Радио и связь, 1987)
- В.И. Стриха, Е.В. Бузанева. Физические основы надежности контактов металл--полупроводник в интегральной электронике (М., Радио и связь, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук