"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации
Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В.1, Лисаченко М.Г.
1Московский институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

С использованием методов оже-электронной спектроскопии, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe, впервые сформированных с использованием метода ионно-лучевого синтеза. Обнаружено, что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия, в результате чего образуются области нанометровых размеров, обогащенные германием, в которых его концентрация на 10-12% выше, чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружен интенсивный пик фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.54-1.58 мкм при комнатной температуре.
  • Sunil Kumar, H.J. Trodahi. J. Appl. Phys., 70, 3088 (1991)
  • Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров. ФТП, 35, 979 (2001)
  • K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 251, 685 (2003)
  • J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994)
  • Н.Н. Герасименко, В.Ю. Троицкий, М.Н. Павлюченко, А.А. Валяев, К.К. Джаманбалин. Перспективные материалы, N 5, 26 (2002)
  • L.E. Brus. J. Chem. Phys., 80, 4403 (1984).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.