"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации
Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В.1, Лисаченко М.Г.
1Московский институт стали и сплавов (Технологический университет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

С использованием методов оже-электронной спектроскопии, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы свойства самоорганизованных квантовых точек SiGe, впервые сформированных с использованием метода ионно-лучевого синтеза. Обнаружено, что в имплантированных ионами германия слоях Si после их отжига проявляется пространственное коррелированное распределение атомов германия, в результате чего образуются области нанометровых размеров, обогащенные германием, в которых его концентрация на 10-12% выше, чем в окружающей матрице твердого раствора SiGe. Оптические свойства слоев с квантовыми точками SiGe исследовались с помощью методов комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции. Обнаружен интенсивный пик фотолюминесценции в диапазоне длин волн 1.54-1.58 мкм при комнатной температуре.
  1. Sunil Kumar, H.J. Trodahi. J. Appl. Phys., 70, 3088 (1991)
  2. Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, В.А. Цветков, К.С. Журавлев, В.А. Марков, А.И. Никифоров. ФТП, 35, 979 (2001)
  3. K. Sawano, Y. Hirose, S. Koh, K. Nakagawa, T. Hattori, Y. Shiraki. J. Cryst. Growth, 251, 685 (2003)
  4. J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dacol, J.O. Chu. J. Appl. Phys., 75, 8098 (1994)
  5. Н.Н. Герасименко, В.Ю. Троицкий, М.Н. Павлюченко, А.А. Валяев, К.К. Джаманбалин. Перспективные материалы, N 5, 26 (2002)
  6. L.E. Brus. J. Chem. Phys., 80, 4403 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.