"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика развития поверхностных структур в кристаллах p-CdTe при облучении импульсным лазерным излучением
Байдуллаева А.1, Булах М.Б.1, Власенко А.И.1, Ломовцев А.В.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследована динамика модификации поверхности кристаллов p-CdTe ориентации (111) под действием импульсного излучения рубинового лазера (homega=1.78 эВ) наносекундной длительности из области фундаментального поглощения света. Показано, что в зависимости от дозы облучения морфология поверхности меняется в такой последовательности: появление пленки теллура, рост плотности дислокаций под пленкой теллура, образование упорядоченных квазипериодических структур как микронных, так и нанометровых размеров. Характер распределения и размеры структур зависят от дозы лазерного облучения.
  1. Б.М. Булах, С.М. Красикова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 9, 1112 (1973)
  2. В.В. Артамонов, М.Я. Валах, В.В. Стрельчук, А. Байдуллаева, П.Е. Мозоль. ЖПС, 48, 990 (1988)
  3. В.В. Апаллонов, А.М. Прохоров, В.Ю. Хомич, С.А. Четкин. Квант. электрон., 9, 343 (1982)
  4. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, 1978)
  5. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Б.Л. Горковенко, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль. ФТП, 34, 443 (2000)
  6. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Э.И. Кузнецов, А.В. Ломовцев, П.Е. Мозоль, А.Б. Смирнов. ФТП, 35, 960 (2001)
  7. Б.Л. Володин, Б.И. Емельянов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 55, 1274 (1991)
  8. А.Ф. Банишев, Б.Л. Володин, Б.И. Емельянов, К.С. Мерзляков. ФТТ, 32, 2529 (1990)
  9. Б.И. Емельянов, И.М. Панин. ФТТ, 39, 2059 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.